3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
美光:3D NAND產(chǎn)能總?cè)萘恳迅哂?D 二代3D NAND將進(jìn)入大批量產(chǎn)
- 美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務(wù)長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示,該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報導(dǎo),Maddock表示,雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D,但就記憶體總?cè)萘慷裕?D NAND產(chǎn)能的總?cè)萘恳迅哂?D產(chǎn)品。 據(jù)悉,美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術(shù),3D NA
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)
- 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 對于3D NAND閃存,我們并不陌生,現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存,不論是性能還是容量或者是寫入壽命,3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
?NAND缺口達(dá)顛峰 推升SSD價漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示,受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長,第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰,各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高,預(yù)估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季,屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%,行動式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9~13%,企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5~10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字: ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價產(chǎn)品
- 三星在手機市場遭遇一定挫折,不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家,據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%,市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎,由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲器的容量及寬度,在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠(yuǎn)比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量,例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB,而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字: Intel NAND
三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王,東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開
- 三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢,NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏,龍頭位置越座越穩(wěn)。 市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元,市占率較前季進(jìn)步0.3個百分點至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 同期間,東芝NAND存儲器營收為20.26億美元,市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%,落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%,此為歷史新高水平。 剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
[ARM筆記]驅(qū)動對設(shè)備的識別過程及實例——NAND Flash
- 驅(qū)動程序識別設(shè)備時,有以下兩種方法: (1)驅(qū)動程序本身帶有設(shè)備信息,比如開始地址、中斷號等;加載驅(qū)動程序時,就可以根據(jù)這些信息來識別設(shè)備?! ?2)驅(qū)動程序本身沒有設(shè)備信息,但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動程序時,將驅(qū)動程序與這些設(shè)備逐個比較,確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動程序與某個設(shè)備匹配,就可以通過該驅(qū)動程序來操作這個設(shè)備了?! ?nèi)核常使用第二種方法來識別設(shè)備,這可以將各種設(shè)備集中在一個文件中管理,當(dāng)開發(fā)板的配置改變時,便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
- 關(guān)鍵字: NAND 驅(qū)動
NAND Flash供不應(yīng)求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰,預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 英特爾
SSD價格2016年來首度大漲,明年第一季價格估將持續(xù)走升
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示,2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲,在MLC-SSD部分,季漲幅達(dá)6~10%,TLC-SSD部分則上漲6~9%。展望2017年第一季,雖然終端產(chǎn)品實際銷售狀況仍保守,但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期,及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下,預(yù)估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
- 關(guān)鍵字: SSD NAND
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析
- 在理解bootloader后,花些時間重新學(xué)習(xí)了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關(guān)鍵字: ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過
大陸存儲器需求進(jìn)展超預(yù)期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣
- 日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大,帶動價格上揚,2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠,表現(xiàn)亮眼。 東芝財務(wù)長平田政善在11日東芝財報記者會上說明,由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切,東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。 平田表示,在當(dāng)今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn),競爭激烈的情況下,大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段,是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查,目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲器約3美元,價格
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo),傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證,最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片,3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外,其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技術(shù)瓶頸,SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
- 關(guān)鍵字: SK海力士 NAND
中國半導(dǎo)體市場暢旺 東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估
- 根據(jù)彭博社的報導(dǎo),受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營收成長,加上撙節(jié)計畫的奏效,日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營業(yè)利益上調(diào) 36%,來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 ),似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。 根據(jù)報導(dǎo),東芝在聲明中表示,除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營業(yè)利益之外,還同時微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營收,從 2.55 兆日圓上調(diào)至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
技術(shù)革新日新月異:3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計保駕護(hù)航 以相同的成本,卻能達(dá)到倍增的容量,各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強力投入,預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快,新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比,預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距,兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點,高速大容
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
3d-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473