為了進一步提高NAND Flash生產效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產，但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產，提高成本競爭力
與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產過程良率不佳的問題，制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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NAND 美光
2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND 三星
2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND SSD
今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產。
由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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半導體 NAND
2015年中國半導體廠商在NANDFlash產業(yè)鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關注的焦點。
TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運上中國國產主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切，或是有投資關系的戰(zhàn)略伙伴為主。產品開發(fā)則傾力下個世代
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NAND SSD
在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產
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慧榮科技 NAND
未來中國國產主控晶片產業(yè)與行業(yè)內公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢，產品應用也有機會從企業(yè)級儲存產品，向下延伸至消費性產品，這也是下一波國內半導體的焦點。
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NAND 半導體
在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術取得穩(wěn)步進展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內容 豐富?！ 〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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存儲器 NAND
全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。
DRAM市場2016年供過于求
近期，我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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3D NAND
根據日本當?shù)氐呢斀浢襟w《日經新聞(Nikkei)》近日報導，大廠東芝(Toshiba)已經決定出售半導體業(yè)務，僅留下快閃記憶體產品線;此舉被視為是經歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉虧為盈之必要步驟。
未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務的投資與經營，該公司并將上述兩大業(yè)務做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務、將出售其他半導體業(yè)務的原因。
將出售的東芝半導體業(yè)務包括類
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Toshiba NAND
3D 打印和增材制造解決方案的全球領導者 Stratasys Ltd.(納斯達克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務領域的全球領航者Creaform形創(chuàng)中國，今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作，將為市場提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時利用前沿的3D掃描技術與3D打印技術，完成從輸入端的產品掃描到輸出端的產品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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Stratasys 3D 打印
摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢?
我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：
我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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NAND FLASH eMMC
慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強的控制器解決方案將有助加快推進最具競爭力的高性能SSD產品在市場上的應用。此次2016年拉斯維加斯消費電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
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慧榮科技 3D NAND
韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產，而SK海力士(SK Hynix)則預定在新的一年結束研發(fā)作業(yè)，并導入量產體制。
韓媒ET News報導，三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成，將于2016年上半投產。三星預定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產16納米的SK海力士，也進入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據悉，SK海力士計劃將
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三星 NAND
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