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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點,他們強調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
- 關(guān)鍵字: 燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash
NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
- 關(guān)鍵字: NOR flash Nand flash FlaSh
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM
美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機市場
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機市場,此區(qū)塊市場占全球智能型手機總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
機器學(xué)習(xí)或能為延長NAND壽命提供解決方案
- NAND在今日儲存市場中占有一席之地,而為了延長NAND的使用壽命,近來有研究提出,透過機器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用,可讓NAND的儲存容量、耐久性以及資料保存達到最佳化。 InformationWeek網(wǎng)站報導(dǎo),近期數(shù)位資料儲存顧問機構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫而使儲存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善,使其生命周期延長。 一般來說
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中國NAND閃存市場占全球1/3
- 相對于舊式 HDD 硬盤的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風(fēng)向。不論是在移動設(shè)備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場,而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此,也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。 在NAND 閃存的市場部分,根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示,中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
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儲存技術(shù)不斷演進 NAND Flash僅是開端
- 在進展緩慢的儲存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導(dǎo),NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置,后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器,便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置,在速度、耐用性和重
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國建設(shè)先進光掩模生產(chǎn)線項目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
3d-nand介紹
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