3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性

　　全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，并利用商用級(jí)SLC NAND閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過(guò)為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性內(nèi)存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。　　賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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今年推兩款存儲(chǔ)芯片美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)

　　《巴倫周刊》(Barron’s)報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來(lái)遭遇股價(jià)蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問(wèn)世的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機(jī)應(yīng)用程式市場(chǎng)和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域，料將大幅提升美光利潤(rùn)率。　　兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年?duì)I收與凈利，而后者料自2018年起占美光營(yíng)收比明顯擴(kuò)大。　　有看多美光者預(yù)測(cè)，股價(jià)可能于1年間上漲逾6成，達(dá)每股30美元。較保守的假設(shè)為，1年間上漲
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紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭人才招募選精英

　　中國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國(guó)紫光集團(tuán)，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲(chǔ)存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺(tái)灣帶來(lái)震撼。外界也好奇，近來(lái)動(dòng)作頻頻的紫光集團(tuán)，究竟有什么背景與能耐，在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? 　　■紫光發(fā)展簡(jiǎn)歷　　依紫光集團(tuán)官網(wǎng)簡(jiǎn)介，紫光的前身是中國(guó)清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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東芝財(cái)報(bào)風(fēng)波長(zhǎng)期恐將損及NAND事業(yè)

　　東芝(Toshiba)財(cái)報(bào)不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤(rùn)最高的NAND快閃存儲(chǔ)器部門，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問(wèn)日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長(zhǎng)期終將損害快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。　　目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續(xù)成長(zhǎng)，銷售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財(cái)務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。　　現(xiàn)在東芝碰上財(cái)務(wù)問(wèn)題，對(duì)NAND快閃存儲(chǔ)器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(zhǎng)室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對(duì)這個(gè)
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡

　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference)，會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。　　美光財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆艿秸w經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
關(guān)鍵字： NAND 英特爾

NAND閃存走向發(fā)展死胡同？

NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
關(guān)鍵字：東芝 NAND

全球新式存儲(chǔ)器大戰(zhàn)　臺(tái)控制芯片廠不缺席

　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過(guò)，相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布。　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營(yíng)對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測(cè)可能是一種稱為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨

　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。由于PC本季市況依舊
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全SSD儲(chǔ)存時(shí)代正式來(lái)臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢(shì)

　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動(dòng)的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲(chǔ)存市場(chǎng)，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過(guò)，當(dāng)時(shí)SSD與HDD每GB的價(jià)格，換算下來(lái)仍有一段不小的價(jià)差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問(wèn)世，SSD在價(jià)格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢(shì)特色，SSD不只在PC市場(chǎng)快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機(jī)等商用市場(chǎng)。　　SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心　　當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢(shì)，也成為了一種必
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走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營(yíng)系統(tǒng)

　　陜西西安的三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來(lái)游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級(jí)NAND 閃存芯片(V-NAND)。　　對(duì)三星半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，引導(dǎo)社會(huì)未來(lái)發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時(shí)也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營(yíng)系統(tǒng)(G-EHS)。　　形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈　　三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。　　西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個(gè)
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傳三星出手搶iPhone6S NAND Flash訂單

三星發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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