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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級別制程

  • 　　鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 　　Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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全球存儲器短缺的三個理由

  • 　　2010年全球存儲器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨，而且非常可能會延續(xù)下去。為什么?可能有三個原因，1)，存儲器市場復(fù)蘇;2)，前幾年中存儲器投資不足;3)，由ASML供應(yīng)的光刻機交貨期延長。 　　巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報告中指出，通過存儲器的食物供應(yīng)鏈看到大量的例證，認為目前存儲器供應(yīng)偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。 　　據(jù)它的報告稱，2010年全球NAND閃存的位增長可達70%，而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達52%。 　　Luke認為
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傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

  • 　　消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。 　　報道稱，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計劃。 　　市場調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱，全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存
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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品

  • 　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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傳鎂光公司欲收購Numonyx公司

  • 　　業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“ 　　此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來也是Intel內(nèi)部負責(zé)NOR閃存的部門，不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

  • 　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來的意圖。 　　Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機密被捕

  • 　　據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機密并出售給了競爭對手海力士。 　　美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。 　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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創(chuàng)造消費價值是關(guān)鍵

  • 　　32位MCU強勢增長 　　從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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危機中求生存 東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠

  • 　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo)，東芝計劃今年關(guān)閉其國內(nèi)2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。 　　即將關(guān)閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產(chǎn)設(shè)備以及約400名員工將被轉(zhuǎn)移到東芝三重縣四日市的工廠。 　　為降低生產(chǎn)成本，東芝會將日本本部作為其研發(fā)及測試中心，并加速將量產(chǎn)工作移往海外。
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

  • 　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。 　　NAND閃存可用于存儲消費電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關(guān)閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項技術(shù)成就將
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蘋果刺激NAND Flash需求　各界引頸盼望

  • 　　蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據(jù)外資和市調(diào)機構(gòu)估計，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時也為產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報價波動相當(dāng)平靜，并未反映蘋果效應(yīng)，下游廠指出，大陸在農(nóng)歷年前又開始嚴查走私，因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減，預(yù)計年后才會發(fā)動補貨行情。 　　蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

  • 　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

  • 　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 　　存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能

  • 　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù)，可大幅提升手機性能。 　　首爾大學(xué)表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點。負責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。 　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責(zé)教授表示
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英特爾和美光計劃下周公布閃存芯片的新進展

  • 　　英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。 　　兩家公司有一個生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機，音樂播放器和其他驅(qū)動器上。 　　2009年，兩家公司表示，它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲單元上存儲三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲存一位或兩位數(shù)據(jù)。 　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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3d-nand介紹

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