3d-nandflash 文章進(jìn)入3d-nandflash技術(shù)社區(qū)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見(jiàn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟?lèi)的生活和工作方式。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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NVIDIA透過(guò)人工智能將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫(huà)面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項(xiàng)稱(chēng)為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預(yù)估光線在真實(shí)世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái)，用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶(hù)界面 (GUI)，用于讀取和寫(xiě)入寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過(guò)單個(gè)器件測(cè)試角度測(cè)量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫(xiě)入器件寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過(guò)常見(jiàn)的 micro-USB 連接器充電
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摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù)：3D堆疊技術(shù)或許是答案

按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來(lái)越大，半導(dǎo)體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數(shù)級(jí)攀升，因此，業(yè)界開(kāi)始向更多方向進(jìn)行探索。
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雙目立體賦能3D機(jī)器視覺(jué)，銀牛攜芯片模組登陸中國(guó)市場(chǎng)

1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個(gè)技術(shù)方向：雙目立體，結(jié)構(gòu)光，飛行時(shí)間（ToF），結(jié)構(gòu)光起步比較早，但是技術(shù)的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢(shì)頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測(cè)距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點(diǎn)，來(lái)計(jì)算對(duì)象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個(gè)發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對(duì)象物體再反射回來(lái)來(lái)計(jì)算這個(gè)深度。結(jié)構(gòu)光的弱點(diǎn)是在室外時(shí)，結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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AMD推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展首款3D chiplet應(yīng)用亮相

AMD展示了最新的運(yùn)算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果，以加速推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運(yùn)算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術(shù)；與業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商特斯拉和三星合作，擴(kuò)大了AMD運(yùn)算與繪圖技術(shù)在汽車(chē)與手機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用；新款A(yù)MD Ryzen處理器瞄準(zhǔn)狂熱級(jí)玩家與消費(fèi)性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來(lái)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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什么是3D XPoint？為什么它無(wú)人能敵卻又前景堪憂？

3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。據(jù)悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計(jì)算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)成為可能，可填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白。
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