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外媒稱(chēng)臺(tái)積電已開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn) 早于此前預(yù)期

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝順利量產(chǎn)之后,芯片代工商臺(tái)積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點(diǎn),已經(jīng)放在了更先進(jìn)的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面,臺(tái)積電是計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年上半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線(xiàn)方面,外媒在今年3月底的報(bào)道中,是表示臺(tái)積電在今年10月份就會(huì)開(kāi)始安裝相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備。而在最新的報(bào)道中,出現(xiàn)了臺(tái)積電已提前開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)的消息。外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)的設(shè)施,正在按進(jìn)度推進(jìn)。包括創(chuàng)始人張忠謀、現(xiàn)任CEO魏哲家在內(nèi)的
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臺(tái)積電3nm細(xì)節(jié)公布:2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

  • 近日,臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2!
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臺(tái)積電首次公布3nm工藝詳情:FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

  • 盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑,但臺(tái)積電的業(yè)績(jī)不降反升,掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上,臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。臺(tái)積電原本計(jì)劃4月29日在美國(guó)舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過(guò)這個(gè)技術(shù)會(huì)議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財(cái)報(bào)會(huì)議上才首次對(duì)外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。臺(tái)積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒(méi)有受到疫情影響,預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線(xiàn)上,臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后
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外媒:臺(tái)積電今年10月份開(kāi)始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺(tái)積電,在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后,今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片,外媒此前的報(bào)道顯示,臺(tái)積電今年4月份就將開(kāi)始為相關(guān)客戶(hù)大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,臺(tái)積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報(bào)道中,外媒就提到了臺(tái)積電3nm工藝方面的消息,其表示今年10月份,臺(tái)積電就將開(kāi)始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后,芯片制造工藝的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。在2019年第四季度的財(cái)報(bào)分析師電話(huà)會(huì)
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面向3nm及以下工藝,ASML新一代EUV光刻機(jī)曝光

  • 很快,臺(tái)積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺(tái)積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對(duì)于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。很快,臺(tái)積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺(tái)積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對(duì)于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:340
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Intel最新制程路線(xiàn)圖曝光:10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方,而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路線(xiàn)圖。Intel官方原始幻燈片如下:在IEDM(IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上),有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q(chēng)是Intel 9月份展示的制造工藝路線(xiàn)圖,14nm之后的節(jié)點(diǎn)一覽無(wú)余,甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來(lái)看——目前,10nm已經(jīng)投產(chǎn),7nm處于開(kāi)發(fā)階段,5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段,3nm處于探索、先導(dǎo)階
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三星明年完成3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些,導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來(lái)的3nm工藝上,預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn),三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺(tái)積電:3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶(hù)參與

  • 如今在半導(dǎo)體工藝上,臺(tái)積電一直十分激進(jìn),7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn),5nm馬上就來(lái),3nm也不遠(yuǎn)了。臺(tái)積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì)議上透露,臺(tái)積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶(hù)參與進(jìn)來(lái),與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義,3nm將在未來(lái)進(jìn)一步深化臺(tái)積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前,3nm工藝仍在早期研發(fā)階段,臺(tái)積電也沒(méi)有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié),以及性能、功耗指標(biāo),比如相比5nm工藝能提升多少,只是說(shuō)3nm將是一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn),而不是5nm的改進(jìn)版。臺(tái)積電只是說(shuō),已經(jīng)評(píng)估了3n
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國(guó)產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來(lái)了?只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報(bào)道了中國(guó)科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展,香港《南華早報(bào)》稱(chēng)中科院微電子所團(tuán)隊(duì)的殷華湘等人研究出了3nm晶體管,相當(dāng)于人類(lèi)DNA鏈條寬度,這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
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臺(tái)積電Q1凈利潤(rùn)暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場(chǎng)的一哥,臺(tái)積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過(guò)今年遇到了半導(dǎo)體市場(chǎng)熊市,臺(tái)積電Q1季度營(yíng)收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤(rùn)暴跌了32%。不過(guò)臺(tái)積電今年依然要砸錢(qián)研發(fā)新工藝,預(yù)計(jì)會(huì)在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
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三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機(jī)、存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)陷入競(jìng)爭(zhēng)不利或者跌價(jià)的困境之時(shí),三星也將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國(guó)分會(huì)上,三星宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是3nm GAA工藝了,通過(guò)使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線(xiàn)圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

  • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)上,臺(tái)積電TSMC是全球一哥,一家就占據(jù)了全球50%以上的份額,而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝,官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時(shí)間,明年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。在臺(tái)積電之外,三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕,目前的路線(xiàn)圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn),下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線(xiàn)圖,緊逼臺(tái)積電,而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
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3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時(shí)超出了我等普通人的想象,今年臺(tái)積電才開(kāi)始量產(chǎn)7nm,計(jì)劃明年量產(chǎn)5nm,這不3nm又計(jì)劃在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),這樣的大踏步前進(jìn)可以說(shuō)是競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
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看看國(guó)外廠(chǎng)商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

  •   每年十二月,在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇,在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting,縮寫(xiě):IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
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三星已成全球芯片霸主,規(guī)劃芯片制程路線(xiàn):2022年要上3nm

  •   5月28日,三星電子在位于美國(guó)的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術(shù)路線(xiàn)圖,目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝。  據(jù)介紹,三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會(huì)分為 LPE 和 LPP 兩代,不過(guò) 7nm 算是個(gè)例外,沒(méi)有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn),2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。  三星表示,在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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