600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
三菱電機估計功率器件市場到2016年再創(chuàng)新高
- 三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在參加2014年P(guān)CIM亞洲展時，估計功率器件市場在整體經(jīng)歷了2012年的業(yè)績下滑后，市場正在逐漸恢復(fù)并升溫，預(yù)計到2016年，整體業(yè)績可以回復(fù)到2011年的歷史高峰。 為了滿足市場需要，三菱電機功率半導(dǎo)體制作所總工程師佐藤克己先生表示，三菱電機持續(xù)每年投入產(chǎn)品研發(fā)，降低產(chǎn)品的重量、尺寸和損耗，最終實現(xiàn)提升性能和降低成本?，F(xiàn)時集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合碳化硅產(chǎn)品、工業(yè)用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。 展示產(chǎn)品簡介: IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出&
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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前車門控制器解決方案
- 本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車車門控制器設(shè)計方案，即以安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片NCV7462和...
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電動汽車的電源與功率器件興起之勢
- 雖然電動汽車完全成為主流還需要一定的時間，但一些制造商深信面向大眾市場的零排放汽車時代已經(jīng)來臨。當(dāng)談到針對未來交通開發(fā)的技術(shù)時，電動汽車和電池產(chǎn)業(yè)毫無疑問是焦點所在，當(dāng)前研發(fā)工作重點放在提高電池存儲容量和加快電池充電時間。通過與汽車和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場領(lǐng)域開發(fā)新的技術(shù)和解決方案。 下圖顯示了PPTC技術(shù)如何應(yīng)用于混合動力汽車和電動汽車電池模塊中的過溫檢測。該例使用了一個熱敏傳感器陣列來監(jiān)視單節(jié)電池故障。由于給PPTC器件加熱會使器件電阻迅速非
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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