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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

電源模塊并聯(lián)應用的方法和注意事項

  • 　　摘要：在電源系統(tǒng)設(shè)計中，當一個電源模塊的功率無法滿足系統(tǒng)的設(shè)計要求時，我們往往會考慮多個模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設(shè)計不合理，就會導致并聯(lián)模塊輸出均流失效，會有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統(tǒng)的風險。今天跟大家簡單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。 　　目前電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢采用新型的功率器件實現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯(lián)進行擴容。電源并聯(lián)運行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點。 　　   　　1.不
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氮化鎵元件將擴展功率應用市場

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。 　　目前銷售Ga
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

  • 　　根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量

  • 　　目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

  • 　　1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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三菱電機在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

  • 　　三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。 　　今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 　　工業(yè)及光伏發(fā)電市場 　　針對工業(yè)光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設(shè)備、移動電源等開關(guān)電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。 　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 　　作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

  • 　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 　　TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 　　作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)

  • 　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會所向披靡嗎？

  • 　　氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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SiC功率器件的技術(shù)市場走勢

  • 　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點及其市場與應用。 　　近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。 　　各種功率器件的比較 　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503  

功率器件行業(yè)面臨的風險

  • 　　功率器件在我國還屬于朝陽產(chǎn)業(yè)，就其在中國發(fā)展的歷程來看，從20世紀50年底的可控硅SCR發(fā)展到80年代的較為成熟的絕緣柵雙極晶體管IGBT，發(fā)展時間較短。就其增長速度來看，市場規(guī)模增長速度較快，高于我國制造業(yè)的平均增長速度，并已經(jīng)成為了全球最大的功率器件市場。 　　根據(jù)統(tǒng)計局的數(shù)據(jù)顯示，2013年，我國功率器件銷售額比2012年增長9.9%，銷售金額達到1804.87億元。就其下游需求行業(yè)來看，無論是從生活聯(lián)系緊密的數(shù)碼相機、LED電視、手機到新能源汽車、工業(yè)控制，均是目前成長良好需求廣闊甚至在未來
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IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光

  • 　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應用發(fā)展的必然
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  IGBT  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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