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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

科銳推出SPICE模型

  • 碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出支持業(yè)界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面認(rèn)證的SPICE模型。新型SPICE模型能夠幫助電路設(shè)計(jì)人員輕松地進(jìn)行效益評估。與同級別的傳統(tǒng)硅功率開關(guān)器件相比，科銳碳化硅Z-FET MOSFET功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率。
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瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
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采用綠色休眠在線UPS技術(shù)提升數(shù)據(jù)中心的PUE指標(biāo)

  • 一引言綠色節(jié)能已經(jīng)成為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心建設(shè)的潮流，而能源使用效能值（PUE）則是衡量數(shù)據(jù)中心競爭力的一個(gè)重...
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功率器件在混合動(dòng)力汽車中的應(yīng)用

  • 混合動(dòng)力汽車（HEV）市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好...
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新型同步補(bǔ)償器直流側(cè)儲能電容值的選取方法

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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混合動(dòng)力汽車對電源芯片與功率器件的挑戰(zhàn)

  • 在汽車行業(yè)的發(fā)展方向上，電動(dòng)汽車(EV)和油電混合動(dòng)力汽車(HEV)正成為一個(gè)明顯的趨勢。從技術(shù)角度來說，目前更...
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武漢力源與英飛凌科技公司簽署代理協(xié)議

  • 　　近日武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡稱武漢力源或 P&S)正式與歐洲第二大芯片制造商英飛凌科技(以下簡稱 英飛凌)公司簽署了分銷合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，武漢力源將在中國區(qū)代理銷售英飛凌產(chǎn)品，如：功率器件，電源器件，汽車電子半導(dǎo)體等。P&S 將通過優(yōu)質(zhì)的服務(wù)為國內(nèi)客戶帶來更加非凡的感受。 　
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功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展

  • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時(shí)間的推移，功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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