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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

電源功率器件的散熱

  • 在穩(wěn)壓電源中主元器件采用功率半導(dǎo)體器件，如功率晶體管（GTR）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（I...
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怎樣去選擇好逆變器功率器件

  • 逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管（GTR），功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），絕...
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功放為智能手機(jī)提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

具集成型功率器件的I2C控制型電池電源管理IC

  • 可采用任何5V電源給高容量電池充電，同時(shí)保持低運(yùn)行溫度便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員面臨著這樣的挑戰(zhàn)，就是要開...
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功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
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“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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電動(dòng)汽車對(duì)電源芯片與功率器件挑戰(zhàn)

  • 在汽車行業(yè)的發(fā)展方向上，電動(dòng)汽車(EV)和油電混合動(dòng)力汽車(HEV)正成為一個(gè)明顯的趨勢(shì)。從技術(shù)角度來說，目前更...
  • 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車  電源芯片  功率器件  

汽車系統(tǒng)中的功率電子技術(shù)

  • 一、導(dǎo)言汽車中使用電子產(chǎn)品可以追溯到使用電動(dòng)啟動(dòng)器替代手動(dòng)曲柄的20世紀(jì)初。上世紀(jì)60年代，隨著固體電...
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功率器件的開發(fā)應(yīng)用與實(shí)例圖解

  • 隨著全球能源的日趨緊張，節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中，轉(zhuǎn)換期間的...
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功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

  • 混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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瑞薩推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件

  • 全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)日前宣布推出14個(gè)針對(duì)汽車應(yīng)用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡(jiǎn)稱“IPD”)，包括μPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部車燈驅(qū)動(dòng)(如頭燈和霧燈)，電加熱座椅和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等典型車身應(yīng)用。
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
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硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
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半導(dǎo)體商羅姆亮相“第十一屆慕尼黑上海電子展”

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2012年3月20日-22日參加了業(yè)內(nèi)最具影響力的綜合性電子展覽會(huì)“慕尼黑上海電子展”。此次，羅姆在“相乘戰(zhàn)略”(注1)、“功率器件戰(zhàn)略”(注2)、“LED戰(zhàn)略”(注3)、“傳感器戰(zhàn)略”(注4)這四大戰(zhàn)略的立足點(diǎn)上展示了符合中國(guó)市場(chǎng)的、滿足客戶需求的眾多產(chǎn)品與技術(shù)，展現(xiàn)了羅姆集團(tuán)強(qiáng)大的綜合技術(shù)實(shí)力。
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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