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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

電源的六大熱門領域及其技術市場

  • 　　我國把節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)列為七大新興戰(zhàn)略型產(chǎn)業(yè)之首，可見節(jié)能環(huán)保的重要性。而其實現(xiàn)離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。為此，“電子產(chǎn)品世界”推出此專題，選取電源的六大熱門領域，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產(chǎn)品。
  • 關鍵字： 功率器件  模擬芯片  

2015-2016年中國功率器件市場回顧與展望

  • 2015年，中國功率器件市場規(guī)模保持較快速度增長，國際并購仍將持續(xù)進行，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展任重而道遠。
  • 關鍵字： 功率器件  工業(yè)控制  國際并購  201604  

力特主攻傳感器、功率器件

  • 　　*貴公司所關注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關的技術及發(fā)展趨勢如何?　　Littelfuse目前致力于消費類電子產(chǎn)品的市場推進，利用我們在電路保護領域取得的優(yōu)勢進一步的拓寬傳感器和電源控制的產(chǎn)品。這些都是我們的未來的產(chǎn)品的方向，智能化的穿戴設備智能家居都離不開傳感器的存在，例如我們的位置開關，門禁開關都是我們的傳感器的產(chǎn)品。電源控制產(chǎn)品是基于我們傳統(tǒng)的半導體的技術的進一步的創(chuàng)新，例如我們的開發(fā)的碳化硅的開關器件可以很好地降低開關的損耗，提高開關頻率更好的適應電力電子產(chǎn)品對器件的高性能的需求。
  • 關鍵字： 力特  傳感器  功率器件  

英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。 　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍位移隨著驅(qū)動電流增加而
  • 關鍵字： GaN  LED  

英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果?！　±迷贛-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！　∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
  • 關鍵字： GaN  LED  

波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管

  • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術鋪平了道路。 　　氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
  • 關鍵字： GaN  場效應晶體管  

新型GaN功率器件的市場應用趨勢

  • 　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會　　時間：2016.01.14 下午　　地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢　　演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理　　主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
  • 關鍵字： GaN  功率器件  

物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商？

  • 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
  • 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  GaN  

第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車？

  • 　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石，是推動節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式，提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發(fā)展的話語權? 　　   　　第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
  • 關鍵字： 半導體  GaN  

Bulk Si技術近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
  • 關鍵字： GaN  SiC  

用結點溫度評估器件可靠性的案例分析

  • 　　摘要：工程師在設計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 　　工程師在設計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 　　   　　其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點溫度，目前大多數(shù)芯片的結點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs
  • 關鍵字： 開關器件  功率器件  

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案

  • 　　簡介 　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 　　使用壽命預測指標 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
  • 關鍵字： GaN  

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
  • 關鍵字： GaN  SiC  

一種無采樣電阻的功率器件保護方法

  • 　　MOSFET或IGBT保護方法有很多，有專門帶保護的驅(qū)動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護電路。專門帶保護的驅(qū)動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。 　　下面介紹一種無采樣電阻的方法： 　　   　　上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當過載時Q1壓降增大，從
  • 關鍵字： 采樣電阻  功率器件  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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