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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    

功率器件的散熱計算及散熱器選擇

  • 目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝，這主要是可方便地 ...
  • 關鍵字： 功率器件  散熱器  功耗  

功率器件芯片商迎來混合動力汽車商機

  • 　　Strategy Analytics的汽車電子部門稱，半導體市場供應混合動力系統(tǒng)將從今年的3.84億美元增長到2015年的13億美元，其中主要是功率器件以及模擬微控制器和傳感器。 　　市場研究人員認為，完全和半混合動力系統(tǒng)在2007年到2012年的年增長率達到38%，其中更符合成本效益的輕度混合解決方案的增長率會更高，約達79%。盡管目前的市場領軍人豐田會在開始時遙遙領先，但本田和歐洲設備制造商們的后勁更足。 　　不過，該機構的汽車電子分析師Kevin Mak認為，對于消費者而言，更高的成
  • 關鍵字： 半導體  汽車電子  功率器件  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業(yè)知識方面
  • 關鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

  • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
  • 關鍵字： GAN  蜂窩  話音質量  

中國功率半導體器件市場正經(jīng)歷風雨轉折

  • 　　受到市場需求減緩以及庫存調整等問題的影響，2007年，中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場銷售額為762.3億元，比2006年增長了13.3%。                 　　在中國功率器件市場中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場的80%
  • 關鍵字： 功率器件  消費電子  電源管理IC  MOSFET  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權的5.8G
  • 關鍵字： 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
  • 關鍵字： 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  • 　　要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。 　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
  • 關鍵字： 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

中國首臺具有自主知識產(chǎn)權MOCVD設備問世

  • 　　由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。 　　 　　該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內(nèi)半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
  • 關鍵字： 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  

藍色激光的應用

功率器件增速放緩 歐美廠家領銜市場

  • 　　中國功率器件市場近年來一直保持快速增長，近五年來，市場復合增長率達27.8%，是半導體產(chǎn)品中市場發(fā)展相對較快的產(chǎn)品。但未來整機制造業(yè)向中國轉移趨勢減緩，整機市場在經(jīng)歷了多年的高速增長之后將會逐漸飽和，未來中國市場功率器件增速減緩。從市場格局來看，電源管理芯片無論在市場還是技術方面，歐美廠商都占據(jù)絕對優(yōu)勢，但在中、低端領域，中國以及其他地區(qū)一些新進入廠家已經(jīng)具備一定的競爭力。 　　電源管理芯片今年有望增長兩成 　　隨著節(jié)能產(chǎn)品需求的增多，電源管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多地應用到整機產(chǎn)品中
  • 關鍵字： 功率器件 電源管理 芯片   

飛兆半導體:功率器件提高能效需求日益重要

  • 　　超便攜式應用產(chǎn)品的DC/DC轉換趨勢讓開關型調節(jié)器的使用日益普遍，隨著對更高效率的需求變得越來越重要，這種技術被用來取代線性調節(jié)器。飛兆半導體的業(yè)務重點之一是開發(fā)小外形尺寸、更高效的步降和步升開關型DC/DC轉換器。為了讓總體解決方案的外形尺寸盡可能地小，我們把用于手機、媒體播放器和手持式游戲機等超便攜式應用設備的步降DC/DC轉換器的開關頻率提高到了4MHz以上。 　　此外，由于對更高功率的需求大于電池容量的增加速度，DC/DC轉換器的增長正在超過線性調節(jié)器。這就需要提高電池能量的轉換效率，以滿足
  • 關鍵字： 飛兆半導體  功率器件  DC/DC  MCU和嵌入式微處理器  

功率器件熱設計及散熱計算

  • 本文介紹了功率器件的熱性能參數(shù)，并根據(jù)實際工作經(jīng)驗，闡述了功率器件的熱設計方法和散熱器的合理選擇。
  • 關鍵字： 功率器件  熱設計  散熱計算    
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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