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被神秘的FS7“附體”,解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

  • 安森美(onsemi)在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴,IGBT模塊系列——SPM31 IPM,QDual 3。值得注意的是,背后都提到采用了最新的FS7技術,主要性能拉滿,形成業(yè)內(nèi)獨特的領先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知,IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件,結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和雙極結型晶體管(BJT)的優(yōu)點,具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術,通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
  • 關鍵字: 功率半導體  onsemi  IGBT  

意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

  • 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術,STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應用,包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
  • 關鍵字: 意法半導體  電隔離柵極驅(qū)動器  IGBT  SiC MOSFET  

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合,專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計

  • 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求,功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸,旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動飛機(MEA)中電源應用的關鍵構件
  • 關鍵字: Microchip  IGBT 7  功率器件  

采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案

  • 本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用,以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中,風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色,并已處于領先地位。在過去的20年中,風力渦輪機的尺寸已擴大三倍,其發(fā)電功率大幅提升,不久后將突破15MW的大關。因此,先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作,需要高度的可靠性和堅固性,以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內(nèi)元件數(shù)
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

功率模塊選得好,逆變器高效又可靠

  • 全球正加速向電氣化轉型,尤其是在交通和基礎設施領域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV),都在轉向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯示,太陽能發(fā)電量首次超過風電,達到1300TWh。轉換能量需要用到逆變器和轉換器。太陽能光伏(PV)板產(chǎn)生直流電,而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似,其主驅(qū)電池系統(tǒng)提供直流電,而發(fā)動機中的主驅(qū)電機需要交流電。在這兩種情況下,電力轉換過程的能效具有重要影響,因為任何能量損失都會轉化為熱量,這就需要風扇或散熱器等散熱措施,進而會擴大整體解決方案
  • 關鍵字: QDual3  電源轉換  IGBT  

更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊

  • 摘要本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結構,并通過可以控制載流子的等離子體層(CPL)結構減少芯片厚度,從而顯著的降低了功率損耗。特別是,在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下,SDA結構可將Eon降低約60%,通過大幅降低功率損耗,模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800
  • 關鍵字: 三菱電機   IGBT  

IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)

  • 引言近幾年新能源車發(fā)展迅猛,技術創(chuàng)新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶?。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半導體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基(SiC)。Si IGBT 或?qū)拵?SiC MOSFET功率半導體具有不同的性能特點,可以適合不同的目標應用。單一性質(zhì)的IGBT器件或SiC器件在逆變器應用中很難同時滿足高效和成本的要求。如今越來越多的設計人員希望以創(chuàng)造性的
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析,一文get√

  • 高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路(HVIC)是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設計?!陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
  • 關鍵字: MOSFET  IGBT  柵極驅(qū)動器  功率耗散  

安森美 NFAL5065L4BT IPM 應用于1500W熱泵熱水器壓縮機驅(qū)動器方案

  • 碳排放量的根本源頭在于能源消耗的多寡與能源轉換效率的高低,特別是在電能轉換成熱能或冷能的家電產(chǎn)品上。為了鼓勵民眾使用高能效的家電產(chǎn)品,政府推出了使用一級能效等級家電即提供高額補助獎金的政策。目前市面上的冷氣機和冰箱已經(jīng)廣泛采用變頻壓縮機技術,一級能效產(chǎn)品屢見不鮮,但高能效的電熱水器產(chǎn)品卻相對稀少。 熱泵熱水器是一種利用少量電能驅(qū)動壓縮機冷媒,并將冷媒轉態(tài)時產(chǎn)生的熱能傳送到貯水裝置以加熱水源,同時排出冷空氣的設備。其加熱效果大約是傳統(tǒng)能源(市電、天然氣、柴油)的三倍。與傳統(tǒng)電熱水器相比,熱泵熱水器
  • 關鍵字: 世平  安森美  NFAL5065L4BT  IPM  熱泵熱水器  壓縮機驅(qū)動器  

什么是IGBT的退飽和(desaturation)? 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)?

  • 如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態(tài)分為三個部分:1、關斷區(qū):CE間電壓小于一個門檻電壓,即背面PN結的開啟電壓,IGBT背面PN結截止,無電流流動。2、飽和區(qū):CE間電壓大于門檻電壓后,電流開始流動,CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升,這個區(qū)域稱為飽和區(qū)。因為IGBT飽和電壓較低,因此我們希望IGBT工作在飽和區(qū)域。3、線性區(qū):隨著CE間電壓繼續(xù)上升,電流進一步增大。到一定臨界點后,CE電壓迅速增大,而集電極電流并不隨之增
  • 關鍵字: IGBT  

一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算,圖文結合+計算公式步驟

  • 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結溫計算。與大多數(shù)功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
  • 關鍵字: IGBT  損耗  溫升  

革新GaN IPM技術:引領高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)進入新時代

  • 在當今能效需求日益增長的時代背景下,家電及HVAC系統(tǒng)的設計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時,他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟實用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設計挑戰(zhàn)在于,如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下,設計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟適用的電機驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設計師們不斷創(chuàng)新,以實現(xiàn)能效與實用性的完美結合?;谝陨媳尘埃轮輧x器(TI)再次走在行業(yè)前沿,通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵(GaN)智能功率模塊(IPM),為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日,德州儀器在發(fā)布
  • 關鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

德州儀器推出先進的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術,助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率?!? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設
  • 關鍵字: 德州儀器  GaN IPM  高壓電機  

德州儀器推出先進的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術,助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海(2024 年 6 月 18 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
  • 關鍵字: 德州儀器  TI  氮化鎵  IPM  智能電源模塊  

安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設計并降低成本

  • 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現(xiàn),有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時,QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計,非常適合用于大功率變流器
  • 關鍵字: 安森美  IGBT  再生能源  
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