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突發(fā)！傳IGBT大廠停止接單

  • 　　IGBT市場缺口高達(dá)50%，安森美已不再接單?！　‰S著新能源汽車發(fā)展，IGBT需求量水漲船高，同時疊加持續(xù)一年有余的全球缺芯大背景，車規(guī)級IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月，業(yè)內(nèi)已發(fā)出預(yù)警稱，今年下半年IGBT或?qū)⒊蔀樾履茉雌嚿a(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過MCU?！　∪缃襁~入5月，IGBT供不應(yīng)求已有愈演愈烈之勢。目前IGBT交貨周期已全線拉長到50周以上，個別料號周期甚至更長。需求高漲下，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真實需求訂單，預(yù)計真實需求是實際供貨能力的1.5倍，這也意
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全球第一IGBT企業(yè)，訂單與交貨量2:1，交貨周期長達(dá)50周

  • 　　IGBT作為一種常用的半導(dǎo)體芯片，我們生活中的家用電器、汽車等商品上面都有，受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影響，IGBT目前也處于緊缺狀態(tài)，尤其是車規(guī)級IGBT更是缺貨嚴(yán)重，缺口最大的時候已經(jīng)超過50%。全球最大的IGBT企業(yè)依然缺貨　　芯片巨頭英飛凌是全球最大的IGBT供應(yīng)商，整個IGBT市場英飛凌占據(jù)三分之一份額，訂單量、出貨量都是遙遙領(lǐng)先，就是這樣規(guī)模的企業(yè)同樣面臨著巨大的供需缺口，目前合作伙伴訂單量和交貨量比例大約為2：1，而且交貨周期長達(dá)50周，尤其是車規(guī)及IGBT供需缺口還有進(jìn)一步擴大趨
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海外大廠訂單排滿，光伏需求大增加劇IGBT缺貨

  • 　　5月16日報道，最近，海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過來的消息。士蘭微和華潤微相關(guān)人士表示，由于汽車和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長很快，做不過來?！　INNO Research半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Elvis稱，車規(guī)級IGBT下探至0.5，即供需缺口在50%以上。因為車規(guī)級IGBT認(rèn)證周期很長，悠關(guān)生命安全，認(rèn)證項目復(fù)雜且冗長，付出成本昂貴，技術(shù)Know-How不易取得，一般快則兩到三年，慢則甚至五到十年之間。因此產(chǎn)能的擴充在近期內(nèi)無法緩解終端市場強大需求的短缺，至少在2023年
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海外大廠已停止接單 國內(nèi)IGBT企業(yè)有望填補空缺

  • 　　獲悉，最近，海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過來的消息。安森美深圳廠內(nèi)部人士透露消息稱，車用絕緣柵雙極晶體管訂單(IGBT)已滿且不再接單，但不排除訂單中存在一定比例的超額下單。士蘭微(600460)和華潤微相關(guān)人士也表示，由于汽車和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長很快，做不過來?！　」?yīng)鏈業(yè)者表示，2021年起車用半導(dǎo)體中的功率元件、微控制器最為缺乏，且直至2022年情況都未見明顯改善。在IGBT產(chǎn)品中，車用IGBT的缺口則更大。CINNOResearch半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Elvi
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歐盟或?qū)⒓铀俳ㄖ惭b光伏 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈有望受益

  • 　　獲悉，歐盟的REPowerEU計劃草案提出，2022年屋頂光伏發(fā)電量增加15TWh。該草案還要求歐盟和各國政府今年采取行動，將屋頂光伏裝置的安裝申請許可時間縮短至三個月，并提出“到2025年，所有新建筑以及能耗等級D或以上的現(xiàn)有建筑，都應(yīng)安裝屋頂光伏設(shè)備”。該計劃有望利好IGBT等逆變器產(chǎn)業(yè)鏈公司?！　?jù)悉，REPowerEU計劃是歐盟在今年3月8日提出的，價值高達(dá)1950億歐元，旨在讓成員國家在2030年之前逐步消除對俄羅斯化石燃料的依賴，其中近三分之二的削減可在今年（2022年）底前實現(xiàn)，結(jié)束歐盟
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Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力

  • 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅(qū)動通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證，可實現(xiàn)AS
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基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應(yīng)力測試分析

  • IGBT作為功率設(shè)備的核心器件，在電力電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。為了進(jìn)一步了解電壓應(yīng)力對IGBT模塊的影響，本文搭建了實驗樣機（選用3代IGBT采用T型三電平拓?fù)?，額定輸出線電壓315 V，電流230 A，設(shè)計輸入電壓范圍500～1 000 V），通過單脈沖試驗對不同廠家不同型號的IGBT進(jìn)行電壓應(yīng)力分析并給出解決方案的可行性。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  單脈沖  電壓應(yīng)力  202203  

子單元長期存放對焊接質(zhì)量的影響*

  • 長期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時間長短對焊接空洞影響較大，本文分別對兩批存放時間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過實驗對比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  

環(huán)旭電子預(yù)計在2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

  • 搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
  • 關(guān)鍵字： 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

環(huán)旭電子預(yù)計2022量產(chǎn)電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

  • 搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門極驅(qū)動器

功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

  • 高端變頻空調(diào)在實際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認(rèn)是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設(shè)計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應(yīng)  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

  • 如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外，電力電
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  MCU  IGBT  

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
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智能功率模塊適合中小功率應(yīng)用，ROHM 打造600 V耐壓產(chǎn)品

  • 1? ?中小功率市場，IPM開始流行隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及及用戶體驗的提升，需要產(chǎn)品有更長的待機時間或工作時間，這無疑會增加電能的消耗，這就要求功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的效率越來越高；與此同時，新產(chǎn)品的開發(fā)周期越來越短，需要快速的電源設(shè)計。因此，適合高效率且低功耗的、模塊化的智能功率模塊（IPM）開始普及。IPM 不同于普通的功率模塊。普通功率模塊是把需要用到的功率器件集成在一個封裝里。對于應(yīng)用工程師，還需要匹配驅(qū)動等外圍電路。IPM 不僅把功率器件集成進(jìn)去了，還把驅(qū)動電路以及周邊的保護(hù)電路全部集成到了
  • 關(guān)鍵字： 202106  智能功率模塊  IPM  
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