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適用于三相電機驅(qū)動的智能功率模塊設(shè)計實用指南
- 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅(qū)動，包含三相變頻段、柵極驅(qū)動器等。設(shè)計構(gòu)思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此，它采用了新型柵極驅(qū)動高壓集成電路 (HVIC)、基于先進硅技術(shù)的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比，SPM 31 v2 的電路板尺寸更小，可靠性更高。其目標應(yīng)用為工業(yè)變頻電機驅(qū)動，例如商用空調(diào)
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加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？
- 隨著企業(yè)向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發(fā)功率半導體解決方案的關(guān)鍵目標在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能，非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
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從零了解汽車電控IGBT模塊
- 當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機驅(qū)動部分，則是電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù)，2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對外宣布，歐盟27個成員國已經(jīng)初步達成一致，歐洲
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車規(guī)級IGBT模塊,持續(xù)放量
- 3 月 28 日的發(fā)布會上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專屬車標、配件等權(quán)益。由于提前生產(chǎn)，不可選配，故相關(guān)車型可最先交付，而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付，Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車創(chuàng)始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現(xiàn)場，雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念，再揮手目送每位車主離開。
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
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一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案
- 熱泵是一種經(jīng)過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù)，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
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意法半導體隔離柵極驅(qū)動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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基礎(chǔ)知識之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。 根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過
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IGBT驅(qū)動電路介紹
- IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。理想等效電路與實際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性（開關(guān)特性）。動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：IGBT的開通過程IGBT 在開通過程中，
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IGBT如何進行可靠性測試？
- 在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營，必須確保產(chǎn)品達到或超過基本的質(zhì)量標準和可靠性標準。安森美 (onsemi) 作為一家半導體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認識到，為實現(xiàn)有保證的質(zhì)量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過測試確保質(zhì)量”方法，轉(zhuǎn)而擁抱新的“通過設(shè)計確保質(zhì)量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來達到最終的質(zhì)量和可靠性水
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必看！IGBT基礎(chǔ)知識匯總！
- 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以
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IGBT 持續(xù)走強，頭部公司紛紛擴產(chǎn)
- 從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場需求疲軟，在半導體賽道的周期性寒冬之下，各家企業(yè)相繼采取措施，減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過危機的主要方式之一。不過在半導體諸多賽道中，有這樣一個細分領(lǐng)域，它未受市場景氣度的影響，持續(xù)繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場格局根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應(yīng)用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模
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IGBT IPM實例：絕對最大額定值
- 本文的關(guān)鍵要點?各種項目的絕對最大額定值都是絕對不能超過的值。?IGBT IPM絕對最大額定值的解釋基本上與半導體器件相同。?由于絕對最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設(shè)計通?；谕扑]工作條件和電氣特性項目中的規(guī)格值進行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實例：絕對最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內(nèi)容，我們先
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