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安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設計并降低成本

  • 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現(xiàn)，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器
  • 關鍵字： 安森美  IGBT  再生能源  

一文搞懂IGBT

  • 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
  • 關鍵字： IGBT  功率半導體  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
  • 關鍵字： SiC MOSFET  IGBT  低側柵極驅動器  

Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅動器

  • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅動器，適配單個LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HPnC（富士電機）以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊，該模塊適用于儲能系統(tǒng)以及風電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理，從而提高系統(tǒng)利用率，并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營銷經(jīng)理Thors
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  門極驅動器  

適用于三相電機驅動的智能功率模塊設計實用指南

  • 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅動，包含三相變頻段、柵極驅動器等。設計構思SPM 31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此，它采用了新型柵極驅動高壓集成電路 (HVIC)、基于先進硅技術的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC) 襯底。與現(xiàn)有的分立方案相比，SPM 31 v2 的電路板尺寸更小，可靠性更高。其目標應用為工業(yè)變頻電機驅動，例如商用空調
  • 關鍵字： 功率模塊  指南  IPM  三相電機  

加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？

  • 隨著企業(yè)向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發(fā)功率半導體解決方案的關鍵目標在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領域，約 80% 的最終能源消耗用于室內和熱水供暖。熱泵（圖
  • 關鍵字： 熱泵  功率半導體  智能功率模塊  IPM  

從零了解汽車電控IGBT模塊

  • 當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需要引起行業(yè)內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù)，2022年6月新能源車國內零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對外宣布，歐盟27個成員國已經(jīng)初步達成一致，歐洲
  • 關鍵字： 汽車  電控  IGBT  

車規(guī)級IGBT模塊,持續(xù)放量

  • 3 月 28 日的發(fā)布會上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專屬車標、配件等權益。由于提前生產(chǎn)，不可選配，故相關車型可最先交付，而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付，Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車創(chuàng)始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現(xiàn)場，雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念，再揮手目送每位車主離開。
  • 關鍵字： IGBT  

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
  • 關鍵字： 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析S
  • 關鍵字： IGBT  SiC  開關特性  

一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

  • 熱泵是一種經(jīng)過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
  • 關鍵字： 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  

意法半導體隔離柵極驅動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶

  • 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現(xiàn)最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
  • 關鍵字： STGAP  MOSFET  IGBT  驅動器  電氣隔離  

基礎知識之IGBT

  • 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。 根據(jù)其分別可支持的開關速度，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  

IGBT驅動電路介紹

  • IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。理想等效電路與實際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性（開關特性）。動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：IGBT的開通過程IGBT 在開通過程中，
  • 關鍵字： IGBT  電路設計  驅動電路  

IGBT如何進行可靠性測試？

  • 在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預期壽命內的長期質量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營，必須確保產(chǎn)品達到或超過基本的質量標準和可靠性標準。安森美 (onsemi) 作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達到了高品質和高可靠性。人們認識到，為實現(xiàn)有保證的質量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過測試確保質量”方法，轉而擁抱新的“通過設計確保質量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來達到最終的質量和可靠性水
  • 關鍵字： IGBT  可靠性  測試  
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