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10位65MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADC10065的原理和應(yīng)用

  • 　　ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D轉(zhuǎn)換器，它的轉(zhuǎn)換速率可達(dá)65MSPS，標(biāo)稱功耗僅為68.4mW，且保證不失碼。文中介紹了該芯片的主要參數(shù)、工作原理和引腳功能，給出了ADC10065的簡單應(yīng)用電路。　　1ADC10065的主要特點(diǎn)　　ADC10065是美國國家半導(dǎo)體公司推出的一款低功耗、單電源供電的CMOS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器。該芯片在3V單電源供電時(shí)，能以65MSPS的采樣速率將模擬信號轉(zhuǎn)為精確的10 位數(shù)字信號，而功耗僅為68.4mW，其備
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使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題?！　?、電源問題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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25億美元CIS大項(xiàng)目開創(chuàng)南京新產(chǎn)業(yè)板塊

  • 　　上周五，德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產(chǎn)業(yè)園”項(xiàng)目正式落戶南京開發(fā)區(qū)。該項(xiàng)目總投資約25億美元，建成后將填補(bǔ)中國CIS產(chǎn)業(yè)的空白，主導(dǎo)中國的CIS市場?！　D像傳感器是數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件不同，可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。相機(jī)和智能手機(jī)的拍照 功能離不開圖像傳感器芯片，市場很大。但CIS所屬的集成電路產(chǎn)業(yè)是內(nèi)地的薄弱產(chǎn)業(yè)，芯片目前已超過石油，成為我國第一大進(jìn)口商品?！　　爸袊仨殦碛凶约旱腃IS設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和自主品牌。”香港德科碼科技有限
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“芯”技術(shù)，“芯”夢想

  • 　　2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區(qū)的150多位IC設(shè)計(jì)精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢和市場熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！　」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場，與參會嘉賓互動交流。同時(shí)公司派出了陣容
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我國研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會

  • 　　長久以來，我國用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開的第十七屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(高交會)上，由我國研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國一直以來都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。 　　圖像傳感器可以將光信號轉(zhuǎn)化為電信號，是所有成像設(shè)備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數(shù)直接決定了成像設(shè)備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率，成像速
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關(guān)于運(yùn)放的參數(shù)和選擇

  • 　　本文講述運(yùn)放的參數(shù)和選擇方面的知識，希望對有需要的讀者有幫助。 　　偏置電壓和輸入偏置電流 　　在精密電路設(shè)計(jì)中，偏置電壓是一個關(guān)鍵因素。對于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。 　　低偏置電壓的指標(biāo)在高增益電路設(shè)計(jì)中很重要，因?yàn)槠秒妷航?jīng)過放大可能引起大電壓輸出，并會占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應(yīng)和張力測
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東芝正式宣布半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革計(jì)劃

  • 　　東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。 　　第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠的300mm晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給索尼。完成轉(zhuǎn)讓后，該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導(dǎo)體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。 　　另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著300mm晶圓生產(chǎn)線轉(zhuǎn)讓，與之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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最簡單的上下拉的問題

  • 　　本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。 　　重要信號線的上下拉問題 　　一般說來，不光是重要的信號線，只要信號在一段時(shí)間內(nèi)可能出于無驅(qū)動狀態(tài)，就需要處理。 　　比如說，一個CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護(hù)二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導(dǎo)通，對器件壽命造成影響。 　　總線上當(dāng)所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現(xiàn)。因?yàn)檫@時(shí)讀寫控制
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中國借力美國矽谷“超越摩爾定律”

  • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)因?yàn)閯?chuàng)投社群對硬件開發(fā)領(lǐng)域興趣缺缺而沮喪了好長一段時(shí)間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
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Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購可能

  • 　　Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時(shí)加強(qiáng)自動對焦(AF)與防手震功能。 　　日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，該相機(jī)并有399個相位對焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102，400，結(jié)合了高解析、高感光及高速對焦的機(jī)種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬日圓(約3，800美
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臺積電16nm好過三星14nm的真相

  • 最近，關(guān)于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強(qiáng)調(diào)的整機(jī)綜合續(xù)航差2~3%的準(zhǔn)確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經(jīng)可以說是板上釘釘?shù)氖铝恕?/li>
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Intel憑何獨(dú)步天下!

  • Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚(yáng)過，整個世界也都承認(rèn)，無與倫比的先進(jìn)制造工藝是這家芯片巨頭永遠(yuǎn)令人眼紅的優(yōu)勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時(shí)候仍然是這個地球上最先進(jìn)的。其他半導(dǎo)體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時(shí)，Intel仍在堅(jiān)持獨(dú)行，仍在引領(lǐng)世界。
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

  • 　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
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艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺。基于該高壓制程平臺的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。 　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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