在研制帶處理器的電子產品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結了一些方法?！ ∫?、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！ ?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅動電路，如產生火花的繼電器，大電流開關等?！ ?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?！ 《?、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
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電磁兼容 CMOS
在比較CCD和CMOS技術時試圖確定一個“贏家”，但這真的對兩者都有損公正，因為每種技術都是獨一無二的，提供不同的終端用戶優(yōu)勢，東西好不好要看怎么用。
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CCD CMOS
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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FD-SOI FinFET
處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續(xù)性，可以轉換為正弦波研究。而數字IC處理的是非連續(xù)性信號，都是脈沖方波。 模擬IC按技術類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數字信號的混合IC。模擬IC按應用來分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調節(jié)與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數據轉換(Data
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模擬IC CMOS
身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進行了較為詳細的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題?！ MOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法： 與門和與非門電路 由
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CMOS TTL
D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應用很有意義?設計一個“優(yōu)質”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動頻帶有限的揚聲器時頻率
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D類放大器 CMOS
在工業(yè)應用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導體工藝生產，高度優(yōu)化于成像應用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉換為數字信號用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內，來進行電荷——電壓轉換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
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成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
TTL電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別?！ ∈裁词荰TL電平 TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進制規(guī)定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng)，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術?！ TL電平信號對于計算機處理器控制
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TTL CMOS
整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學柏克萊分校、科羅拉多大學和麻省理工學院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標準技術，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。
據HPC Wire網站報導，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
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芯片 CMOS
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協(xié)議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數據中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術合作?！ RM全球執(zhí)行副總裁兼產品事業(yè)群總裁
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ARM FinFET
集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個問題?！ ?、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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CMOS 集成電路
三星(Samsung)即將量產用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續(xù)引發(fā)一些產業(yè)媒體的關注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進一步的更新。
業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經在去年
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三星 FinFET
一.TTL TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！ ?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.輸入高電平和輸入低電平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對于干擾信號十分敏感，因此不用的輸入端不應開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小?！ ?/li>
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TTL CMOS
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