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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

關(guān)于電路的那些常識性概念

  • 　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！　?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對于干擾信號十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小?！　?/li>
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

  • 　　歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統(tǒng)。 　　除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進一步發(fā)展至16/14納米時，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 　　而對于更先進5納米生產(chǎn)線來說，至今業(yè)界
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安森美半導(dǎo)體推出先進的1300萬像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場上其它
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應(yīng)用材料:2016年晶圓廠設(shè)備支出有望擴增

  • 　　    　　應(yīng)用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸認為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！　?yīng) 用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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CMOS傳感器，3D化發(fā)表接二連三

  • 　　在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試，而此次的3項技術(shù)除了比原來具有更強的低成本和低功耗意識之外，還在3D化中輕松實現(xiàn)了“模塊化”。 　　 ? 　　通過模塊化手段
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摩爾定律邁入“后CMOS”時代

  • 　　在英特爾(Intel)負責(zé)晶圓廠業(yè)務(wù)的最高長官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 　　“如 果我們能專注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會議(ISSCC)上對近3,000名與會者表示：“而超越CMOS，我們將看
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歷時兩年,清芯華創(chuàng)完成對OmniVision收購

  • 　　美國 CMOS 圖像感測器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng)等提出收購邀約到完成并購歷時長達兩年，而在消息公布同時，豪威也于 28 日暫停在那斯達克證券市場的交易。 　　   　　豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達克證券市場暫停交易。據(jù)悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來自清
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【E課堂】數(shù)字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點

  • 　　隨著數(shù)字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數(shù)字電路中的△I噪聲正逐步成為數(shù)字系統(tǒng)的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點，對認識△I噪聲特性進而抑制△I噪聲具有實際意義?！　》聪嗥魇菙?shù)字設(shè)計的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點?！　? △I噪聲的產(chǎn)生　　1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生　　TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩(wěn)定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時，電源提供的電流IH和I
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三星新一代FinFET制程可望擄獲高通？

  • 　　一直在先進制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。 　　香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會將大多數(shù)10/14奈米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會是未來高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)
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AMD：14納米FinFET將進入GPU市場 年中進入量產(chǎn)

  • 　　盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應(yīng)商，但在先進技術(shù)的投入上，仍然沒有手軟過。 　　AMD的GPU主力產(chǎn)品Radeon系列，在去年推出導(dǎo)入HBM(高頻寬記憶體)技術(shù)后，引來市場關(guān)注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產(chǎn)品Polaris架構(gòu)，采用14奈米FinFET制程，目前已經(jīng)送樣給主要的OEM客戶，預(yù)計在今年年中進入量產(chǎn)時程，該產(chǎn)品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實境)與桌上型電腦等領(lǐng)域。 　　據(jù)AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構(gòu)有別于過往
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索尼正式加入汽車熱潮：設(shè)立車用CMOS芯片部門

  • 　　汽車行業(yè)(汽車電子、車聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個熱門領(lǐng)域，其中蘋果也跟進谷歌(微博)，開始研發(fā)電動車。而在日前，日本索尼公司也對架構(gòu)進行了重組，設(shè)立了獨立的汽車業(yè)務(wù)部門，擬開發(fā)車用CMOS圖像傳感器的市場。 　　據(jù)“今日日本”網(wǎng)站12月28日報道，索尼日前對外公布了公司架構(gòu)的重組事宜以及人事變化，架構(gòu)調(diào)整將會從2016年1月1日生效。 　　索尼宣布，在“設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)集團”下，新設(shè)立三個部門，“汽車業(yè)務(wù)”
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索尼新增車載事業(yè)部，CMOS傳感器做臥底？

  • 　　索尼公布了將于2016年1月1日實施的人事及機構(gòu)改革方案。在機構(gòu)改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設(shè)了3個組織。 　　新設(shè)的三個組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開發(fā)部。雖然詳情未公布，不過可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工。 　　在智能手機及數(shù)碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國安森美半導(dǎo)體表示自己份額第一，“索尼并不是
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索尼在器件部門新設(shè)車載事業(yè)部

  • 　　索尼公布了將于2016年1月1日實施的人事及機構(gòu)改革方案。在機構(gòu)改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設(shè)了3個組織?！　⌒略O(shè)的三個組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開發(fā)部。雖然詳情未公布，不過可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工(參閱本站報道)。　　在智能手機及數(shù)碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國安森美半導(dǎo)體表示自己份額第一，“索尼并不是第一
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

  • 　　由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應(yīng)該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關(guān)?！　MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候，漏電流匹配的相當好，僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
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