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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

安森美半導(dǎo)體推出高能效電池監(jiān)測器

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON?Semiconductor，)推出新系列的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)?“電池電量監(jiān)測器”集成電路(IC)，為智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節(jié)鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監(jiān)測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結(jié)合了高精度等級，以及業(yè)界最低能耗，優(yōu)于執(zhí)行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數(shù)量及降低系統(tǒng)成本，因為它們跟競爭器件不同，并不要求電流感測電阻來組成方案?！　“采腊?/li>
  • 關(guān)鍵字： 安森美  LC709201F  CMOS  便攜  電池監(jiān)測  

一種基于混合信號技術(shù)的汽車電子單芯片設(shè)計

  • 隨著汽車部件電子化程度的不斷提高,汽車工程師們正積極地尋求車輛系統(tǒng)中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車系統(tǒng)中用來嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復(fù)雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?，F(xiàn)在,應(yīng)用與42V車載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復(fù)雜的數(shù)字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵源或開關(guān)驅(qū)動器)集成到一起。 LIN總線系統(tǒng) 由于其相對較低的造價,LIN總線正被廣泛應(yīng)用于汽車的分布式電氣
  • 關(guān)鍵字： AMI  CMOS  

下一代晶體管技術(shù)何去何從

  • 　　大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 　　在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 　　半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  FinFET  

高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

  • 　　高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān)，相信會在集成電路上實現(xiàn)前所未有的功能。 　　集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單
  • 關(guān)鍵字： 高通  CMOS  

一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計

  • 　　本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
  • 關(guān)鍵字： 射頻開關(guān)  CMOS  開關(guān)芯片  201402  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

  • 前面我說過，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  PMOS  傳輸門  NMOS  CPU  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

  • 上一帖我們說到了IC的性能取決于R與C的乘積?？吹搅粞院笪野l(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個遺漏的事實：當(dāng)器件的尺寸變得越來越小，連線在IC中越來越成為一個瓶頸。這是由于一個非常簡單的原因：連線相對于器件的尺寸來說越來越長了。
  • 關(guān)鍵字： EDA  CMOS  CPU  反相器  PMOS  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-3

  • 從上面的帖子中我們看到了CMOS工藝下的反相器。如果用一張圖總結(jié)一下這種設(shè)計模式就是下面的這張圖
  • 關(guān)鍵字： CMOS  PUN  VDD  電路  CPU  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

  • 在上一個帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  

中國智能手機(jī)CMOS傳感器市場發(fā)展?fàn)顩r分析

  • 這是一個好材料，很多行業(yè)的中國消費(fèi)習(xí)慣都是獨(dú)具特色的?？纯粗悄苁謾C(jī)上需要怎樣的傳感器，才能滿足中國人的獨(dú)特需要吧。在此提供一個引子，前置攝像頭很重要呦，為啥呢，下面自己來看吧。
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  CMOS  

對高電壓CMOS放大器利用單個IC實現(xiàn)高阻抗檢測實驗

  • 引言電壓的準(zhǔn)確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表(DVM)采用10M電阻器網(wǎng)絡(luò)以...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  放大器  

拍攝愛好者的福利 CMOS圖像傳感器之HDR渲染解析

  • 高動態(tài)范圍(HDR)高動態(tài)范圍(HDR)成像的一個特色，是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對比度的圖像。通過擴(kuò)...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  

韓國東部高科為Brigates提供閉路電視圖像傳感器

  • 韓國東部高科(Dongbu HiTek)日前宣布，該公司已開始為Brigates, Inc提供閉路電視(CCTV)圖像傳感器。Brigates, Inc是中國的一家無晶圓廠企業(yè)，專注于面向監(jiān)控應(yīng)用程序開發(fā)圖像傳感器。
  • 關(guān)鍵字： 東部高科  傳感器  CMOS  

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

  • 隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA等移動設(shè)備的普及，對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍，高性能、低成...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  線性穩(wěn)壓器  
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