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雙通道/四通道CMOS 運算放大器LTC6084/LTC60

  • 描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調(diào)、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運 ...
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MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運算放大器

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

  • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
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美國半導(dǎo)體聯(lián)盟啟動“半導(dǎo)體合成生物技術(shù)”

  • 　　新計劃的第1階段將在3個相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個探索性的項目：第1個領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計領(lǐng)域，將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中，反之亦然;第2個領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域，專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個領(lǐng)域是分子級精確增材制造領(lǐng)域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 　　麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
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改進(jìn)RGC結(jié)構(gòu)的光互連CMOS前置放大器設(shè)計

  • 該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測器結(jié)電容 ...
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帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設(shè)計

  • 設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
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CMOS型單片機時鐘電路圖

  • MCS-51內(nèi)部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
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新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
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技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

  • 　　目前，在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。 　　1CMOS集成電路的性能及特點 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復(fù)用器/開關(guān)

  • 概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復(fù)用器（MAX4617），兩個4通道多路 ...
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Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術(shù)參考流程

  • Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設(shè)計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設(shè)計(DFM)平臺。
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上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠

  • 　　隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿(mào)區(qū)藍(lán)圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強勢漲停。 　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下，預(yù)計與游戲機生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司，如水晶光電
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銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流

  • 　　銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。 　　目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達(dá)到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達(dá)到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數(shù)量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。 　　
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FinFET新技術(shù)對半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響

  • 　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設(shè)計，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 　　FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
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