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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會批準(zhǔn)該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

  • AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預(yù)計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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美光：預(yù)計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個位數(shù)百分比影響

  • IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預(yù)計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據(jù)點。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導(dǎo)致當(dāng)時桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
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3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時

  • 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機構(gòu)都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長安

  • 怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對中國市場最有信心的表示當(dāng)然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導(dǎo)體企業(yè)在國內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動DRAM、N
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

  • 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求

  • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。                                                      &n
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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美光內(nèi)存與存儲是實現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選

  • 據(jù) IDC 預(yù)測，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素數(shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術(shù)從精確傳感到實時計算，再到將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為深度洞察，從多方面進一步推動了設(shè)備和運營系統(tǒng)優(yōu)化，從而實現(xiàn)擴大規(guī)模并縮短產(chǎn)品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學(xué)習(xí) (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實現(xiàn)出色的整體設(shè)備效率 (OEE)。當(dāng)我們了解了上述需求的復(fù)雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識到內(nèi)存與存儲對于實現(xiàn)數(shù)字孿
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢

  • 三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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存儲器廠憂DRAM漲勢受阻

  • 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔(dān)心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認(rèn)為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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漲勢延續(xù)，預(yù)估2024年第一季DRAM合約價季漲幅13~18%

  • TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時買方預(yù)期DDR4價格會持續(xù)上漲，帶動買方拉貨動能延續(xù)，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴大。不過，由于DDR4及DDR5的售價均尚未達(dá)到原廠目標(biāo)，加上買方仍可接受第一季續(xù)漲，故預(yù)估整體PC
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]

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