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韓國(guó)成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲(chǔ)器研發(fā)

  • 　　南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國(guó)家隊(duì)，由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 　　三星、SK海力士是全球前兩大存儲(chǔ)器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過(guò)七成，具有絕對(duì)制價(jià)與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”，預(yù)料以存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺(tái)灣南亞科、華邦電等存儲(chǔ)器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 　　業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米

  • 　　三星電子智能手機(jī)吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績(jī)!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對(duì)手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，技術(shù)差距約為一年半。 　　BusinessKorea 31 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí)，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說(shuō)，明年三星 10 納
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手機(jī)DRAM有漏洞，黑客可竊取手機(jī)最高權(quán)限

  • 　　阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗(yàn)室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機(jī)的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動(dòng)平臺(tái)或程式上，而是藏匿在手機(jī)所使用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中，將允許駭客取得手機(jī)的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機(jī)進(jìn)行測(cè)試，但理論上該漏洞也會(huì)影響iPhone或基于其他平臺(tái)的手機(jī)。 　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來(lái)執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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存儲(chǔ)器價(jià)格回溫　2016年IC市場(chǎng)可望成長(zhǎng)1%

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)，由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2016年全球IC出貨量成長(zhǎng)率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率的很大一部分原因，來(lái)自于DRAM市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)。 　　IC Insights指出，自2002年以來(lái)，全球IC市場(chǎng)在第三季平均季成長(zhǎng)率為8%，但去年第三季市場(chǎng)成長(zhǎng)率僅成長(zhǎng)約1%左右;2016年第三季的IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率則出現(xiàn)了略為高于過(guò)去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導(dǎo)體增長(zhǎng)預(yù)測(cè)

  • 　　據(jù)ICInsight的最新預(yù)測(cè)，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)率將是1%，之前的預(yù)測(cè)為下降2%。它的最新預(yù)測(cè)為2016年增長(zhǎng)1%，及2017年增長(zhǎng)4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測(cè)增加4%，上升至6%。 　　IC Insight修正預(yù)測(cè)的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對(duì)于DRAM的容量需求上升，導(dǎo)致市場(chǎng)缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開(kāi)始擴(kuò)大投資，增加
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手機(jī)DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8

  • 　　行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布，智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問(wèn)世的Galaxy S8。 　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見(jiàn)的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動(dòng)DRAM的到來(lái)，可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。 　　目前智慧機(jī)行動(dòng)DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當(dāng)前
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲(chǔ)單元在2015年已通過(guò)驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲(chǔ)器測(cè)試芯片正處于早期測(cè)試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 　　最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場(chǎng)的DRAM技術(shù) 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場(chǎng)較為穩(wěn)定，未來(lái)隨著PC、手機(jī)等方面的市場(chǎng)需求萎縮，新的增長(zhǎng)點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應(yīng)求
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應(yīng)求
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南亞科未來(lái)兩年投資500億元　提升價(jià)值凌駕市占率

  • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(huì)(TSIA)表示，南亞科計(jì)劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來(lái)新存儲(chǔ)器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 　　再者，南亞科召開(kāi)重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺(tái)塑網(wǎng)科購(gòu)置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價(jià)款約3.43億元。整體來(lái)看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
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DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營(yíng)同步走高

  • 　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來(lái)高點(diǎn)，本季來(lái)大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。 　　業(yè)界透露，在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢(shì)延續(xù)，9月以來(lái)已連續(xù)三周上漲，漲勢(shì)明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場(chǎng)，漲勢(shì)加大。 　　根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來(lái)到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來(lái)二個(gè)交易日
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三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號(hào)令

  • 　　三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng)，主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會(huì)向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來(lái)漲勢(shì)最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號(hào)令。 　　存儲(chǔ)器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢(shì)態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。 　　2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
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制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？

  • 　　明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 　　BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。 　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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