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手機DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8

  • 　　行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。 　　韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。 　　目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

Kilopass憑借其革命性的VLT技術改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。 　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
  • 關鍵字： Kilopass  DRAM  

VLT技術 或將顛覆DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 　　最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領域。然而當前
  • 關鍵字： VLT  DRAM  

詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
  • 關鍵字： 存儲器    DRAM    SDRAM  

TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調整產(chǎn)出比重，標準型內存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
  • 關鍵字： DRAM  

TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調整產(chǎn)出比重，標準型內存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
  • 關鍵字： TrendForce  DRAM  

南亞科未來兩年投資500億元　提升價值凌駕市占率

  • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示，南亞科計劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價值，而非拉升全球市占率，未來新存儲器技術ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 　　再者，南亞科召開重大訊息指出，為導入20納米制程技術，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關設備，總價款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術轉換制程，預計花430億~450億元進行相關設備擴
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  

DRAM價格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運營同步走高

  • 　　DRAM現(xiàn)貨價漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元，攀上七個多月來高點，本季來大漲逾24%，第4季報價持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。 　　業(yè)界透露，在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下，DRAM漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價買盤進場，漲勢加大。 　　根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計本周以來二個交易日
  • 關鍵字： DRAM  存儲器  

三星主導調漲報價策略 DRAM廠商有望重掌號令

  • 　　三星主導調漲DRAM報價策略奏效，全球市場研究機構TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚，主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關，也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號令。 　　存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態(tài)度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等于下半年漲幅約25%。 　　2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導DRAM漲價策略奏效
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？

  • 　　明年下半年DRAM供給可能會供不應求，韓媒指出，存儲器廠商轉進20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 　　BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。 　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
  • 關鍵字： DRAM  美光  

制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？

  • 　　明年下半年DRAM供給可能會供不應求，韓媒指出，存儲器廠商轉進20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 　　BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。 　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
  • 關鍵字： DRAM  美光  

DRAM現(xiàn)貨價短期看漲

  • 根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應已正在逐步發(fā)酵當中，在跌無可跌的前提之下，短時間內現(xiàn)貨價格有機會帶動一波價格的上
  • 關鍵字： DRAM  現(xiàn)貨價  短期看漲   

存儲器價格飆升 DRAM廠營運旺

  • DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立，加上各大DRAM供應商按照原先規(guī)劃減少標準型存儲器部位影響下，主流模塊4GB均價在第2季上揚16%，由23.5
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  三星  

DRAM晶片價格居高不下 智能手機需求旺

  • 近來DRAM 價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長的智慧手機市場，令人擔心個人電腦(PC)未來的供應。預料
  • 關鍵字： DRAM  晶片  智能手機   

IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著DRAM和NAND技術持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路，IC Insights密切觀察有關DRAM和NAND供應商的最新動態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
  • 關鍵字： NAND  DRAM   
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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