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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
- 行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器,高功率密度的
- 關鍵字: 存儲器 子系統(tǒng)效率 DRAM
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關。 當前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
- 關鍵字: 3D NAND DRAM
美大學突破相變化存儲器技術 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中,全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣,并投入大量時間從事研發(fā),最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破,據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 據(jù)Techspot網(wǎng)站報導,所謂的相變化存儲器運作原理,是指在低阻抗的結晶態(tài)及高阻抗的非結晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動,雖然此技術在現(xiàn)今全球儲存技術領域中已展現(xiàn)
- 關鍵字: 存儲器 DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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