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中國投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢就能解決的問題

  • 　　8月27日消息，中國目前大力推動國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，目標是在將來成為全球電腦芯片制造業(yè)的領軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。 　　在2014年，中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設計和制造產(chǎn)業(yè)，以期在未來占據(jù)行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無法保證自己在芯片行業(yè)取得領先的。 　　中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
  • 關鍵字： 芯片  DRAM  

三星承包Q2全球61.5%移動DRAM市場

  • 　　韓聯(lián)社首爾8月17日電 據(jù)半導體市場調(diào)研機構DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動DRAM市場份額單獨統(tǒng)計以來的歷史最高紀錄。 　　三星2015年后三季度的移動DRAM市場份額均未突破60%關口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個百分點。三星移動DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個百分點
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

全球DRAM總營收 研調(diào)機構估第3季將較顯著成長

  • 　　DRAMeXchange最新報告指出，中國地區(qū)的智慧型手機出貨依然強勁，DRAM三大廠同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式記憶體轉進，伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來，預估第3季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的成長。 　　DRAMeXchange表示，因市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，使得第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。 　　三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收仍排行第一，營收季
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

Q2全球DRAM總營收91億美元臺廠華邦電表現(xiàn)最佳

  • 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長，臺廠部分，以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現(xiàn)最佳。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智慧型手
  • 關鍵字： DRAM  

DRAM拖累全球IC銷售額下降2%

  • 　　按IC Insight的最新IC市場觀察報告，2016年因供過于求，導致全球DRAM的平均售價(ASP)下降16%，導致全球IC銷售額下降2%。 　　由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機等的出貨量減少，今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點，到2012年時的1.69美元。 　　   　　IC Insight認為，一組DRAM的ASP曲線，從2007年開始象飛機飛過山谷時一樣的起伏。預計在服務器及新智能手機等市場需求推動
  • 關鍵字： DRAM  

第二季全球DRAM總營收成長6.3%

  • 　　受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。 　　DRAMe
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

第二季DRAM總營收小幅增長6.3%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單 價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動位元供給增長，使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元，季增長6.3%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務器相 關產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式內(nèi)存
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進光掩模生產(chǎn)線項目

  • 　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。 　　
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

DRAM業(yè)恐掀巨變 美光面臨生存戰(zhàn)

  • 并購以后DRAM市場的“貧富差距”愈形明顯，產(chǎn)業(yè)結構可能掀起巨變。
  • 關鍵字： DRAM  美光  

2016年全球DRAM市場與趨勢分析

  • 本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場走勢。結論是2016年第三季度DRAM已經(jīng)平穩(wěn)上漲4%~8%左右。預計在2016第四季度價格會略有下滑，但2017年成長會低于20%。
  • 關鍵字： DRAM  市場  手機  服務器  201608  

后摩爾定律時代：終于跨越鴻溝？

  • 摩爾定律并未失效，可能無法像以前那樣自動跳到下一世代制程，不過可以看到有很多公司在進行20 nm及以下的設計開發(fā)。
  • 關鍵字： 摩爾定律  DRAM  

NAND快閃記憶體價格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷

  • 　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。 　　市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產(chǎn)品銷售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產(chǎn)品在1個月內(nèi)漲幅超過2成。 　　市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

中國首座DRAM廠動工，三星、海力士冒冷汗

  • 　　韓國經(jīng)濟日報周二報導，國營福建晉華積體電路公司(音譯：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術的加持下，已著手建造半導體廠，將藉此切入DRAM市場。 　　來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出，福建晉華上周六已在晉江市，舉行DRAM廠破土動工儀式，第一期工程投資規(guī)模預估來到370億人民幣，或相當于55億美元，2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬片晶圓(32奈米)。 　　據(jù)報導，福建晉華將獲得聯(lián)電技術支援，且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資，但未獲
  • 關鍵字： DRAM  三星  

IC Insights下修今年半導體業(yè)成長率至-1%

  • 　　IC Insights近日調(diào)降2016年半導體產(chǎn)業(yè)成長率預測至-1%，表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負面沖擊的原因之一… 　　市場研究機構IC Insights近日調(diào)降了對2016年半導體產(chǎn)業(yè)的成長率預測，由原先的2%下修為-1%;該機構表示，調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長率預測的主要原因，是基于全球經(jīng)濟表現(xiàn)衰弱，以及低迷不振的DRAM市場。 　　消 費性電子市場與半導體產(chǎn)業(yè)之間的連動關系越來越密切，IC Insights預期，2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%，被認為是
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  

三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

  • 　　據(jù)韓媒BusinessKorea報道，IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱，兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存，有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實際接替者。 　　DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下，因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。 　　另外，新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電，理論性能也將超越DRAM。 　　業(yè)界認為，這可能是目前DRAM的最佳接替者，因為95%的DRAM制造設施都
  • 關鍵字： 三星  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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