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無(wú)線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢(shì)
- 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對(duì)有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的,可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無(wú)線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中,CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能;而在另外一些應(yīng)用中,通過(guò)它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無(wú)線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
- 關(guān)鍵字: 應(yīng)用 趨勢(shì) 頻率 CMOS 設(shè)備 無(wú)線
晶圓代工廠發(fā)展MEMS的唯一要訣:找到強(qiáng)大的設(shè)計(jì)伙伴
- 1位伊朗人30多年前獨(dú)自來(lái)到美國(guó)柏克萊大學(xué)念書,自畢業(yè)后為了一圓其大學(xué)時(shí)期對(duì)于MEMS的夢(mèng)想,前前后后共創(chuàng)立了多達(dá)6家的MEMS設(shè)計(jì)公司,而第6家公司InvenSense在其正式開張前,就已花了1年多時(shí)間在家埋頭苦干,開創(chuàng)出1套前無(wú)古人的MEMS設(shè)計(jì)公司營(yíng)運(yùn)模式,如今看來(lái)他對(duì)了,至今InvenSense成為任天堂Wii下世代Wii Motion Plus游戲搖桿的唯一陀螺儀供應(yīng)商,而讓所有MEMS業(yè)界為之瞠目結(jié)舌的是,
- 關(guān)鍵字: MEMS IC 晶圓 CMOS
新日本無(wú)線開發(fā)出雙電路低噪聲CMOS單電源運(yùn)算放大器
- 新日本無(wú)線開發(fā)完成了雙電路低噪聲CMOS單電源軌至軌輸出運(yùn)算放大器NJU7029,該產(chǎn)品最適用于加速度傳感器、震蕩傳感器和光傳感器的信號(hào)處理。 NJU7029是雙電路CMOS運(yùn)算放大器,實(shí)現(xiàn)了低噪聲(13nV/√Hz typ. at f="1kHz")、增益寬帶(3MHz)、低電壓工作(2.2V~5.5V),并且具有輸入偏置電流為1pA(typ.)的高輸入阻抗特性,即便是加速度、震蕩、光等各種傳感器的微小輸入信號(hào)也能準(zhǔn)確地放大。 NJU7029具有軌至軌輸出特性,實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: 新日本無(wú)線 運(yùn)算放大器 CMOS 低噪聲
基于CPLD的高幀頻CMoS相機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 依據(jù)Micon公司MI―MVl3型高幀頻互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器驅(qū)動(dòng)控制時(shí)序關(guān)系,設(shè)計(jì)了高幀頻相機(jī)驅(qū)動(dòng)控制時(shí)序。選用Actel公司復(fù)雜的可編程邏輯器件及其開發(fā)系統(tǒng),并利用硬件描述語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)時(shí)序及控制時(shí)序。實(shí)驗(yàn)表明,設(shè)計(jì)的控制驅(qū)動(dòng)時(shí)序完全能滿足圖像傳感器的要求。
- 關(guān)鍵字: CPLD CMoS 幀 相機(jī)
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計(jì)與優(yōu)化
- 分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù):實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對(duì)其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法。
- 關(guān)鍵字: CMOS 低功耗 低噪聲 放大器設(shè)計(jì)
SoC與SiP各有千秋 兩者之爭(zhēng)仍將繼續(xù)
- 對(duì)生命周期相對(duì)較長(zhǎng)的產(chǎn)品來(lái)說(shuō),SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心;而若對(duì)產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高,則應(yīng)使用SiP。 現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了過(guò)去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝。人們正在為低成本無(wú)源元件集成和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器、開關(guān)和振蕩器等電器元件開發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著與集成到傳統(tǒng)CMOS芯片相比,可以把更多的功能放到SiP封裝(系統(tǒng)級(jí)封裝)中,這些新技術(shù)并不會(huì)替代CMOS芯片,而只是作為補(bǔ)充。 如果
- 關(guān)鍵字: SoC CMOS SiP
無(wú)線芯片在高集成化中尋找機(jī)遇挑戰(zhàn)竟?fàn)?/a>
- 連接性是未來(lái)電子產(chǎn)品最值得期待的特性,幾乎所有的電子產(chǎn)品消費(fèi)者都希望能夠通過(guò)無(wú)線連接與其他設(shè)備進(jìn)行互動(dòng),因此,未來(lái)每個(gè)電子產(chǎn)品都有一個(gè)射頻收發(fā)模塊將成為無(wú)線芯片最主要的市場(chǎng)推動(dòng)力,在這樣龐大的市場(chǎng)機(jī)遇面前,并不是每個(gè)公司都可以分一杯羹,隨著無(wú)線技術(shù)的成熟,無(wú)線市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)遠(yuǎn)比以前更為激烈和復(fù)雜。 集成化趨勢(shì) 無(wú)線半導(dǎo)體市場(chǎng)在早期以手機(jī)半導(dǎo)體為主,基帶是最早無(wú)線芯片的核心,TI正是以此奠定多年無(wú)線半導(dǎo)體老大的地位,隨著基帶技術(shù)的成熟和普及,NXP、Skyworks、ADI和MTK等公司
- 關(guān)鍵字: 無(wú)線半導(dǎo)體 博通 CMOS CSR 藍(lán)牙
低功耗高增益CMOS LNA的設(shè)計(jì)
- 0 引言 快速增長(zhǎng)的無(wú)線通信市場(chǎng)使得無(wú)線通信技術(shù)向著低成本、低功耗、高集成度的方向發(fā)展,同時(shí)CMOS技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到深亞微米水平,這使CMOS器件的高頻特性得以進(jìn)一步改善,目前已能與SiGe器件和GaAs器件相媲美。此外,CMOS器件功耗極低且集成度高,因而深亞微米CMOS技術(shù)在無(wú)線通信系統(tǒng)中具有應(yīng)用潛力。低噪聲放大器(LNA)是無(wú)線通信系統(tǒng)射頻接收機(jī)前端的關(guān)鍵模塊,在接收并放大信號(hào)的過(guò)程中起著關(guān)鍵性的作用,其增益、噪聲、線性度等都將直接影響著整個(gè)接收機(jī)的性能。典型的接收機(jī)的接收信號(hào)強(qiáng)度在-120~-
- 關(guān)鍵字: CMOS
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