首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> hyper-na euv

全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)

  • 　　5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達(dá)328億美元之后，2012年再度增長16%，達(dá)到393億美元，預(yù)計(jì)2013年還將有14%的增長。 　　臺(tái)積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺(tái)積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺(tái)積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺(tái)積電。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體代工  EUV  

Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)

  • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 　　而從2015年開始，Intel又會(huì)陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點(diǎn)。 　　Rattner指出，Intel
  • 關(guān)鍵字： Intel  晶圓  EUV  

臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺(tái)積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺(tái)積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計(jì)今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺(tái)積電今年預(yù)估會(huì)再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  EUV  

IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
  • 關(guān)鍵字： EUV  晶圓  

MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì)存在這些問題。
  • 關(guān)鍵字： 光刻  EUV  

光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。 　　
  • 關(guān)鍵字： GlobalFoundries  EUV  

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)失良機(jī)

  • 　　英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  EUV  

通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因?yàn)殡S著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個(gè)挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： EUV  節(jié)點(diǎn)技術(shù)  

次世代微影技術(shù)主流之爭　

  • 　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲(chǔ)器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進(jìn)入量產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 微影技術(shù)  EUV  

GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

  • 　　繼晶圓代工大廠臺(tái)積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì)中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺(tái)導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺(tái)與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機(jī)臺(tái)采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  EUV  晶圓代工  

英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

  • 　　英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 　　   　　在Nikon的年會(huì)上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  11納米  EUV  

半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展

  • 　　相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì)上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂，認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?，不肯繼續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴(kuò)大招慕員工。 　　恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。 　　IBS的CEO Handle Jones認(rèn)為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運(yùn)營中仍面臨成
  • 關(guān)鍵字： ASML  半導(dǎo)體  EUV  

臺(tái)積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

  • 　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個(gè)取得這項(xiàng)設(shè)備的客戶伙伴之一。 　　這項(xiàng)設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺(tái)積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個(gè)可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長當(dāng)作光源，超
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  EUV  微影設(shè)備  ASML  

三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年

  • 　　半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級(jí)別制程技術(shù)中也不會(huì)應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)被后延到2015年，在13nm級(jí)別的工藝制程中投入實(shí)用。 　　另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
  • 關(guān)鍵字： EUV  光刻  450mm  

EUV: 一場輸不起的賭局

  • 　　2010年， ASML將有5臺(tái)最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級(jí)存儲(chǔ)器廠商和2家頂級(jí)邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預(yù)測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。 　　人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問題已歷時(shí)數(shù)年，因?yàn)槠洳ㄩL較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí)，延伸immersion技術(shù)，用其
  • 關(guān)鍵字： ASML  EUV  22nm  
共199條 13/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473