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中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

  • IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢，是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發(fā)展，在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領域，市場前景廣闊。
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  

中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)

  • 　　IGBT 　　是功率器件技術演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  

IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光

  • 　　IGBT是功率器件技術演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點。基于技術和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應用發(fā)展的必然
  • 關鍵字： 功率器件  IGBT  

瞄準物聯(lián)網(wǎng)商機 風河以VxWorks 7為核心推出多個專用Profile

  • 　　全球領先的智能互聯(lián)系統(tǒng)嵌入式軟件提供商風河®公司近日宣布，針對其業(yè)界領先的最新版VxWorks® 實時操作系統(tǒng)(RTOS， Real-time Operating System)推出面向各個行業(yè)的行業(yè)Profile。這些Profile針對VxWorks 7擴充了一系列非常有價值的功能，幫助客戶滿足不斷演變的市場和技術要求，從而抓住物聯(lián)網(wǎng)所帶來的新的市場發(fā)展機遇。 　　特定行業(yè)Profile包括與安全性、可靠性、互聯(lián)性、可管理性、用戶接口以及圖形相關的功能和改善。目前已經(jīng)推出的Prof
  • 關鍵字： 風河  VxWorks 7  物聯(lián)網(wǎng)  

意法半導體(ST)推出先進的1200V IGBT,可實現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

  • 　　意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應用的能效和耐用性。 　　意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
  • 關鍵字： 意法半導體  IGBT  H系列  

詳解IGBT驅(qū)動系統(tǒng)方案

  • 　　IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關斷技術，因而掌握好IGBT的驅(qū)動和保護特性是十分必要的。 　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)
  • 關鍵字： LED  驅(qū)動  IGBT  

世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)

  • 　　6月20日上午，被業(yè)界認為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關鍵 技術在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。 　　國家多部委關注IGBT研發(fā) 　　IGBT，是一種實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

我國成功實現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

  • 我國南車株洲所8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線建成，真正實現(xiàn)國產(chǎn)化，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷......
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

我首條8英寸IGBT芯片線建成

  • 　　我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。 　　與微電子技術中芯片技術一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動設備中。 　　IGBT芯
  • 關鍵字： IGBT  電力電子  

國家“02專項”獲重大突破 8寸IGBT征名

  • 　　(飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。) 　　(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬個“細胞”完成。) 　　(中國南車株洲所功率半導體器件生產(chǎn)區(qū)域。) 　　(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。) 　　紅網(wǎng)長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發(fā)達國家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

好音質(zhì)與長續(xù)航的來源 iAUDIO 7拆解報告

  • iAUDIO，一代代經(jīng)典的產(chǎn)品為我們詮釋著MP3音質(zhì)的巔峰，而直接以iAUDIO命名的i系列機型從i4開始，則更代表著愛歐迪MP3系列中的旗艦!終于，新一代i系列產(chǎn)品iAUDIO 7盛大臨世，我們也在第一時間為您帶來愛歐迪 7的獨家拆機評測。 iAUDIO 7很好拆卸，只要把四角上的螺絲擰下就可以將機身上下蓋開啟，再卸下主電路板上的3顆小螺釘即取下主電路版 ? ? 機器上蓋和螺絲。右側(cè)的電路板即是延承自I6的 “Swing Touch” 操控系統(tǒng)，通
  • 關鍵字： iAUDIO  7  

傳統(tǒng)IGBT可靠性測試急需變革

  • 　　據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標。 　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機
  • 關鍵字： IGBT  Mentor  EV/HEV  201406  

東芝推出4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器

  • 　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅(qū)動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅(qū)動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產(chǎn)生過流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開始量產(chǎn)出貨。 　　&l
  • 關鍵字： 東芝  TLP5214  SO16L  IGBT  

最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術詳解，設計技巧，應用案例

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： IGBT  基礎理論  設計技巧  應用案例  雜散電感  DC/DC電源  

FEKO Suite 7.0正式發(fā)布 增加時域求解器

  • 　　FEKO Suite 7.0在其原有算法基礎上，新增時域有限差分(FDTD)求解器，同時增加了多層快速多極子(MLFMM)與物理光學(PO)的混合算法。此外，支持了三類新的導入文件格式。　　時域有限差分(FDTD)求解器　　時域有限差分(FDTD)求解器的加入，標志著FEKO在算法的完整性和解決各類問題的有效性方面進入一個新的里程碑。新增的FDTD求解器易于激活和使用，并可與其它求解器便捷切換。　　盡管該算法設定在時域，但通過傅立葉變化可以計算寬帶頻域數(shù)據(jù)。它采用一階數(shù)值微分可達到二階的精度。這種算法
  • 關鍵字： FEKO  FDTD  Suite 7.0  
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igbt 7介紹

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