IR推出可靠的超高速1200 V IGBT

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。

　　全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場(chǎng)截止溝道技術(shù)，可顯著降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗，從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無(wú)需短路功能的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、焊接等應(yīng)用，而且為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供10微秒短路功能，與其它IR產(chǎn)品相輔相成。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR全新超高速1200V溝道IGBT系列具備多種性能優(yōu)勢(shì)，有助于提升系統(tǒng)的效率;同時(shí)通過(guò)降低開關(guān)的損耗及提高開關(guān)頻率，減少散熱器的尺寸與磁元件的數(shù)量，從而降低整體系統(tǒng)的成本。”

　　新系列包括電流介于 20A 和50A 之間的封裝器件，以及高達(dá) 150A 電流的裸片產(chǎn)品。其主要優(yōu)勢(shì)包括寬方形反向偏壓安全操作區(qū)(RBSOA)、正VCE(on)溫度系數(shù)，以及用來(lái)降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外，新器件還可內(nèi)置/不內(nèi)置一個(gè)超高速軟恢復(fù)二極管。裸片更配備焊前金屬(SFM)，以提高熱性能、可靠性及效率。

　　產(chǎn)品規(guī)格