mos 文章 進(jìn)入mos技術(shù)社區(qū)
內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動芯片方案
- 引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調(diào)研,亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位,市場規(guī)模占比達(dá)47%,并且預(yù)計未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國,無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟,電機(jī)和驅(qū)動器的價格均已下探到可以廣泛應(yīng)用的程度,也就拓展了無刷電機(jī)的使用場景。而控制芯片作為無刷電機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,通過接收轉(zhuǎn)子位置的反饋信號,精確控制電機(jī)的電流和電壓,實現(xiàn)電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和精確控制。目前直流無刷電機(jī)的控制主要分兩大類:方波控制(梯形波控制)與正弦波控制,這兩類控制方式的原理分別是什么呢
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
- 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
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從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用,這篇文章把MOS管講透了。
- MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖:解釋1:溝道上面圖中,下邊的p型中間一個窄長條就是溝道,使得左右兩塊P型極連在一起,因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性,因此它的一個重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻,選用mos管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求。解釋2:n型上圖表示的是p型mos管,讀者可以依據(jù)此圖理解n型的,都是反過來即可,因此,不難理解,n型的如圖在柵極加正壓會導(dǎo)致導(dǎo)通,而p型的相反。解釋3:增強(qiáng)型相對于耗盡型
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徹底弄清MOS管 (NMOS為例
- 來自專欄芯片基礎(chǔ)課說來慚愧,大二學(xué)了一遍模電數(shù)電,考研專業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電,但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖,讓我立馬說出:【這是什么型mos管,標(biāo)準(zhǔn)符號襯底的箭頭指向哪里,簡化符號柵極有沒有小圓圈,襯底該接高接低,柵極高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通,導(dǎo)通電流方向是什么】的答案,時不時還真有點(diǎn)卡殼。這真的不能怪我們,是真的太繞了,比如PMOS管柵極居然是低電平有效,簡化圖上輸入帶圈,這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關(guān)系徹底理順,開始吧!首先,你應(yīng)該已經(jīng)懂得:硅中參雜電子多的話,會在那里寫個N,參雜空穴多
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MOS 管的死區(qū)損耗計算
- MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn),習(xí)慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.如果上管和下管同時導(dǎo)通,就會導(dǎo)致電源短路,MOS 管會損壞,甚至?xí)r電源損壞,這種損壞是災(zāi)難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的,為了避免上管和下管同時導(dǎo)通,造成短路現(xiàn)象,從而引入了死區(qū)的概念,也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間,如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
- 一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、制動單元、驅(qū)動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機(jī)的功率,實現(xiàn)電機(jī)的變速運(yùn)行,達(dá)到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動,避免一旦電壓發(fā)生異常而導(dǎo)致設(shè)備的跳閘或者出現(xiàn)異常運(yùn)行的現(xiàn)象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊,從而有效地減少無功損耗,增
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高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用
- 單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS,市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電,一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時,市電的回路會自動切斷,電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù),直到市電恢復(fù)正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電,不過從直流電轉(zhuǎn)換的交流電是方波,只限于供電給電容型負(fù)載,如電腦和監(jiān)視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS,市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電,一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時,市電的回路會自動切斷,電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù),直到市電恢復(fù)正
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耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時,功率MOSFET需要作為?!伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET,稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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如何在電源上選擇MOS管
- 在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候,在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式,質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候,在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式,質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要,這都是對電源的效率有直接的影響,主要是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing F
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功率放大器電路中的三極管和MOS管,究竟有什么區(qū)別?
- 學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友,在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢?在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢?學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友,在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢?在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢?首先我們明確一下二者的概念三極管:全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分
- MOS 晶體管正在按比例縮小,以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少,進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小,以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少,進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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巧用MOS管的體二極管
- 用過MOS管的小伙伴都知道,其內(nèi)部有一個寄生二極管,有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用,S極作電源輸入,D極作輸出,當(dāng)Vsg大于閾值電壓,MOS管導(dǎo)通,一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小,毫歐級別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏級別,此時體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道,其內(nèi)部有一個寄生二極管,有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關(guān)用,S極作電源輸入,D極作輸出,當(dāng)Vsg大于閾值電壓,MOS管導(dǎo)通,一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小,毫歐級別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏級別,此時體二極管是截至狀
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來,硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關(guān)鍵字: NCP51820 安森美 半導(dǎo)體 電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver
放大器設(shè)計:晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別
- 晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識,這其實是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管:BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān),它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān),晶體管類似于繼電器,因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開,這對于放大器的設(shè)計很有用。晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有
- 關(guān)鍵字: 放大器 晶體管 MOS BJT
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對于硅襯底來說,絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。
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