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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
- 開(kāi)關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開(kāi)關(guān)管,控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率,來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開(kāi)關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開(kāi)關(guān)管,控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率,來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長(zhǎng)中,開(kāi)關(guān)電源憑借其70%~
- 關(guān)鍵字: 瑞森半導(dǎo)體 MOS 開(kāi)關(guān)電源
基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案
- 隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化,Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片,此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶(hù)常使用之ACF架構(gòu)更具競(jìng)爭(zhēng)力,在電路設(shè)計(jì)上相對(duì)容易,還可減少元件數(shù)量,且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿(mǎn)足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用,提高在設(shè)計(jì)上的靈活度與可靠性。同時(shí)搭配Cypress PD控制芯片,借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來(lái)改變輸出電壓,藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時(shí)Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片,可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn),更可以減少客戶(hù)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字: Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
MOS管的Miller 效應(yīng)
- 本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。01 Miller效應(yīng)一、簡(jiǎn)介MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中,延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形??梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個(gè)平坦的小臺(tái)階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來(lái)的 MOS 管驅(qū)動(dòng)電壓波
- 關(guān)鍵字: MOS Miller
場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通
- 1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí),與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓,并影響放大倍數(shù)Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很廣泛,如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: MOSFET MOS 場(chǎng)效應(yīng)管
開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗,如何減少M(fèi)OS管損耗
- 一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源(SwitchModePowerSupply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓,透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備,例如個(gè)人電腦,而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
- 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSFET
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能,縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建模可以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
- 關(guān)鍵字: IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后,為滿(mǎn)足客戶(hù)更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求,金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性?xún)r(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器,內(nèi)置高壓功率MOS,最大輸出功率達(dá)20W,待機(jī)功耗<75mW,具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流,可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿(mǎn)載工作時(shí),PWM開(kāi)關(guān)頻率固定;降低負(fù)載后,進(jìn)入綠色模式,開(kāi)關(guān)頻率降低;在空載和輕載時(shí),
- 關(guān)鍵字: EMI PWM MOS
如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路?
- 如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路?-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字: mos
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來(lái)說(shuō),絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。
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