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高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設計

  • 　　混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。 　　在接收機中， 混頻器具有一定的轉換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 　　在CMOS電路設
  • 關鍵字： MOS  諧波混頻器  

你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧

  • 　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  

分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

  • 　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽世界。其實，東芝的分立器件也在市場上占有重要位置。 　　
  • 關鍵字： 東芝  LED  晶圓  MOS  分立器  201411  

CMOS電路ESD保護結構設計

  • 　　1　引　言 　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問題。 　　2　ESD保護原理 　　ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
  • 關鍵字： CMOS  ESD  MOS  

LED驅動設計小Tips：不可不知的5大關鍵點

  • 　　1、芯片發(fā)熱 　　這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
  • 關鍵字： LED  MOS  變壓器  

一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
  • 關鍵字： MOS  CMOS  

一種可程控調制脈沖電源模塊的研制

  • 脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對脈沖電源特點及主要參數(shù)的影響原因進行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結了實用的脈沖電源工程設計方法。
  • 關鍵字： 電源  MOS  脈沖電壓  跌落幅度  脈沖電源  201405  

一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案

  • 　　為了解決現(xiàn)有浪涌保護電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問題，提出一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設計思路從以下幾個方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡單，通過分離元器件可實現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時，電路轉換效率能達到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時，電路轉換效率能達到80%以上
  • 關鍵字： PCB  MOS  恒流源  

移動電源方案技術深度剖析連載一：小米10400

  • 　　引言：　　鑒于目前網(wǎng)絡上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設移動電源方案技術篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動電源方案一一深度剖析，與移動電源設計師和技術迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧?！　≌模骸　∫苿与娫淳W(wǎng)獨家撰稿，轉載請保留出處鏈接。　　大家好!我是來福，移動電源資深技術愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設移動電源方案技術篇連載，
  • 關鍵字： 小米  10400  BQ24195  ABOV  MOS  

從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構成零件-2

  • 在上一個帖子當中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設計。
  • 關鍵字： MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  

從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構成零件-1

  • 在下面的兩個帖子當中，我將簡短地介紹構成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設計，這相當于IC設計中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
  • 關鍵字： CPU  IC設計  單晶硅  MOS  硅  

車載筆記本電源的設計制作

  • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
  • 關鍵字： 車載筆記本  MOS  IC器件  

SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
  • 關鍵字： SJ-MOS  VDMOS  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

舞臺功放MOS管改裝介紹

  • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關鍵字： 介紹  改裝  MOS  功放  舞臺  
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mos介紹

MOS 金屬氧化物半導體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。 [ 查看詳細 ]

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