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MOSFET開關(guān)損耗分析

  • 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
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基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

  • 1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，S
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大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)

  • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模
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傳中興急單ODM/OEM抬價(jià)20%搶貨：MOSFET全年漲價(jià)30%

  • 　　MOSFET漲價(jià)已經(jīng)很長一段時(shí)間，從今年年初至今，其漲價(jià)幅度已經(jīng)達(dá)到了5%-10%，相對另外一種被動(dòng)元器件MLCC，MOSFET漲價(jià)幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導(dǎo)體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?！　∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計(jì)算等新應(yīng)用加大對MOSFET的需求，導(dǎo)致電腦以及智能手機(jī)等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴(yán)重不足，價(jià)格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個(gè)季度!據(jù)市場表示，今年上半年MOSFET
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汽車級(jí)N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)

  • 　　IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！　±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開關(guān)特性)?！　?dòng)態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)

  • 　　隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動(dòng)車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計(jì)企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！　∫颂囟麻L 余維斌指出，在車用可靠度驗(yàn)證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時(shí)，發(fā)現(xiàn)了此
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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  • 　　意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性。　　邏輯級(jí)原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設(shè)計(jì)高效的5V輸出開關(guān)電源。結(jié)合內(nèi)部高壓啟動(dòng)、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動(dòng)振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設(shè)計(jì)，節(jié)省空間和物料清單成本?！　IPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計(jì)簡單、性價(jià)比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
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計(jì)算MOSFET非線性電容

  • 　　最初為高壓器件開發(fā)的超級(jí)結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴(kuò)展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲(chǔ)存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計(jì)算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜?！　OSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個(gè)過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個(gè)值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
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電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路篇

  • 　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路?！　≡谑褂肕OSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

  • 　　全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計(jì)

  • 　　EPC公司的管理及技術(shù)團(tuán)隊(duì)將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會(huì)上，與工程師會(huì)面并作技術(shù)交流。屆時(shí)，EPC團(tuán)隊(duì)將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計(jì)，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面?！　irFuel無線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
  • 關(guān)鍵字： 宜普  MOSFET  
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