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高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負(fù)載點應(yīng)用中提高功率吞吐量的障礙

  • 　　當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負(fù)載點穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計人員選擇避免多級轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負(fù)載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會進(jìn)一步提高?！　‰娫葱袠I(yè)通過對niPOL進(jìn)行多項技術(shù)升級來應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。過去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導(dǎo)體集成和M
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MOSFET芯片需求加劇 缺貨之勢持續(xù)蔓延

  • MOSFET缺貨潮來勢洶洶，看著突然實則必然，畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發(fā)展已成必然之勢。
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一種具有后臺校正功能的電流舵DAC

  • 　　隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)閾值電壓的失配常數(shù)Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數(shù)模轉(zhuǎn)換器)分辨率的提高，?DAC對電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關(guān)，由于閾值電壓的溫度系數(shù)存在，DAC工作
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通過電源模塊提高電動工具設(shè)計的性能

  • 　　電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機驅(qū)動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長?！　◎?qū)動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現(xiàn)工具內(nèi)的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作?？煽康牟僮骱捅Ｗo(hù)可延長使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽?！　樵趦蓚€方向上驅(qū)動BDC電機，您
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汽車電源的監(jiān)視和開關(guān)

  • 　　引言　　在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗而設(shè)計了座椅加熱、空調(diào)、導(dǎo)航、信息娛樂、行車安全等系統(tǒng)，從這些系統(tǒng)很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處?，F(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時，在汽油動力汽車中，一個電子組件都沒有。在世紀(jì)交替時期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點，最大限度減少了機械系統(tǒng)的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
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缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場

  • 　　MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
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600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)

  • 　　017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓?fù)涞男枨?。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應(yīng)用?！　?nbsp;&n
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缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場

  • 　　MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
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功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？

  • 功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的 行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關(guān)注。
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MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車用電子 供貨緊張

  • 　　面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車用電子領(lǐng)域，并開始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產(chǎn)品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達(dá)淡季不淡的樂觀預(yù)期看法
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MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力

  • 　　以MLCC為代表的被動元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。 　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

  • 　　電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！　∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)。　　一、什么是安全工作區(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

  • 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復(fù)，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時的功率損耗。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  柵極屏蔽  快捷半導(dǎo)體  
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