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EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet-driver

為反向極性保護(hù)設(shè)計一個電路

  • 為反向極性保護(hù)設(shè)計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計人員也必須忍受反向極性保護(hù)出現(xiàn)時的功率損耗。
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有刷直流柵極驅(qū)動器的演變

  • 有刷直流柵極驅(qū)動器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣?xùn)|西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
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模塊電源的散熱應(yīng)對措施

  • 模塊電源的散熱應(yīng)對措施- 本篇文章以實例為基準(zhǔn)，分析一個設(shè)計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ)，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)超高速切換

  • 　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的
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采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路

  • 采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖

  • 功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動電路  mosfet  電路圖  

利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)

  • 利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復(fù)進(jìn)行卻使成本與設(shè)計空間密集化。
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

  • MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

  • 　　摘要　　本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

  • 什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢

  • 　　平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和： 　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 　　 　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
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智能電網(wǎng)端口保護(hù)：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

  • 　　今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來自對手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門”，是怎么玩兒的?！　∧切┟餍窃　∠葋砑?xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
  • 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  
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