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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

  • 服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度,因此要獲得成功,設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性?xún)r(jià)比解決方案。
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如何提升數(shù)字控制電源性能?MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

  • 如何提升數(shù)字控制電源性能?MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然,這種爭(zhēng)議會(huì)阻礙數(shù)字控制電源以
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電源設(shè)計(jì)小貼士46:正確地同步降壓FET時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階段:低...
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電源設(shè)計(jì)小貼士:同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和F...
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飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高

  • 汽車(chē)動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
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IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,適合各種工業(yè)應(yīng)用,包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能逆變器、叉車(chē)、電動(dòng)工具、代步車(chē),以及ORing和熱插拔應(yīng)用等。
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高壓MOS缺貨 晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器

  •   半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)相開(kāi)發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下,LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境,因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動(dòng)IC方案,讓LED照明系統(tǒng)客戶(hù)免于高壓MOSFET缺貨之苦。   恩智浦區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示,調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET,因此恩智浦將透過(guò)高整合LED驅(qū)動(dòng)IC方案確??蛻?hù)掌握貨源無(wú)虞。   恩智浦(NXP)區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示,20
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Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸,具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
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Vishay將參加西安2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國(guó)西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國(guó)電源行業(yè)協(xié)會(huì)合辦,由Vishay技術(shù)專(zhuān)家做4場(chǎng)技術(shù)報(bào)告,探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
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功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革

  •   前言   為了防止地球溫室化,減少CO2排放量已成為人類(lèi)的課題。為了減少CO2排放量,節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下,羅姆通過(guò)用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電,通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。   而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬(wàn)伏的電壓,通過(guò)電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換,每次轉(zhuǎn)換都會(huì)發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零,就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
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新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)湓趯捿斎?、高用電量?fù)載中的應(yīng)用

  • 摘要:本文介紹了一種“零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?,說(shuō)明了其給系統(tǒng)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
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羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

  • 在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下,隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中,微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年,需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
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節(jié)能家電電源整體解決方案

  • 摘要:家電是節(jié)能推行過(guò)程中重要的一部分。 在本文中,推薦了家電電源的整體解決方案。 通過(guò)融合最先進(jìn)的技術(shù),能夠設(shè)計(jì)出頂尖的開(kāi)關(guān)電源,這引起了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大的興趣。 本文描述每款產(chǎn)品的功能特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn),并列出評(píng)估板的測(cè)試結(jié)果。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  新能源  MOSFET  201211  

提升能效,讓整個(gè)世界微笑

  • 摘要:面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí),電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn),未來(lái)幾年,電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
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mosfet介紹

  金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

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