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英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)
- 英特爾公司已經(jīng)開(kāi)始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。SSD是電腦硬盤(pán)的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設(shè)計(jì),34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%,為PC和筆記本電腦制造商及消費(fèi)者帶來(lái)實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī),有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件,因此與傳統(tǒng)硬盤(pán)(
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英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻 三星買(mǎi)氣清淡
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品,應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程,不但制程技術(shù)領(lǐng)先,近期英特爾和美光在價(jià)格策略上,更是上演絕地大反攻計(jì)畫(huà),以超低價(jià)策略搶食三星地盤(pán)。下游廠商透露,近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元,相較于三星更是便宜將近3美元,價(jià)差相當(dāng)驚人,而此策略亦讓英特爾陣營(yíng)近期NAND Flash產(chǎn)品詢問(wèn)度大增,三星在現(xiàn)貨市場(chǎng)活絡(luò)度則降低。 英特爾
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三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱(chēng),預(yù)計(jì)韓國(guó)三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。 該報(bào)未指明消息來(lái)源稱(chēng),三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動(dòng)上稱(chēng),三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模,或是迄今的已投資額。 ETnews報(bào)稱(chēng),芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù),比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 30納米 NAND
NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出,NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象,大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(pán)(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。 iSuppli專(zhuān)研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示,近期NAND閃存價(jià)格上漲,對(duì)閃存供貨商來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)是好事,但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來(lái)阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲,SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷(xiāo)量就會(huì)減緩。 多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存,其平均價(jià)格大幅上漲12
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 MLC
英特爾美光及三星開(kāi)始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無(wú)實(shí)際的意義。 按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器
全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷(xiāo)售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷(xiāo)售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開(kāi)始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。 由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷(xiāo)給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 DRAM NAND 34納米
Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱(chēng)其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤(pán)。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過(guò)合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準(zhǔn)備,計(jì)劃于第四季度推出樣品。
- 關(guān)鍵字: Micron 納米 NAND USB閃盤(pán)
09年固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)份額不會(huì)大提升
- 雖然固態(tài)硬盤(pán)迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價(jià)格過(guò)高的原因今年固態(tài)硬盤(pán)的市場(chǎng)份額將不會(huì)太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報(bào)告表明,固態(tài)硬盤(pán)在標(biāo)準(zhǔn)筆記本電腦的市場(chǎng)份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠商在主流存儲(chǔ)設(shè)備上依然選擇的是機(jī)械式硬盤(pán),因此在低端PC上的市場(chǎng)份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤(pán)向更深市場(chǎng)的侵入,根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價(jià)格走勢(shì),SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)接受度將會(huì)下降.
- 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤(pán) NAND 內(nèi)存芯片
Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 近來(lái)謠言越來(lái)越厲,市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤(pán)。之前有報(bào)道稱(chēng)英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存,不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤(pán)出現(xiàn)的時(shí)間不久,其成本高,容量有限,有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出,固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將大大降低,容量也將達(dá)到320GB左右。 固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字: 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
利潤(rùn)驚人 iPhone 3GS成本僅179美元
- 雖然蘋(píng)果iPhone有著驚人的利潤(rùn)已經(jīng)是婦孺皆知的事情,但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前,以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費(fèi)電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli,通過(guò)初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評(píng)估產(chǎn)品成本。據(jù)悉,第三代蘋(píng)果手機(jī)iPhone3GS的成本為178.96美元,比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價(jià)。 通常而言,最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代,尤其對(duì)于iPh
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 NAND GPS 處理芯片
恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn),將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間,使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字: Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
NAND Flash再刮大風(fēng) 30納米世代競(jìng)賽起跑
- 全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱,盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場(chǎng)信心,然存儲(chǔ)器業(yè)者透露,由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋(píng)果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈,推測(cè)其增產(chǎn)系為蘋(píng)果供貨做準(zhǔn)備,近期更需關(guān)注的是,三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn),亦開(kāi)始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片,且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠,這不僅將對(duì)東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力,亦將影響NAND Flash市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 30納米 43納米
三星電子和Numonyx將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代記憶體PCM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開(kāi)發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術(shù)有望用于高級(jí)聽(tīng)筒、移動(dòng)電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱(chēng),PCM讀寫(xiě)速度非???,但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。 三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
09年SSD硬盤(pán)市占率不升反降
- 據(jù)市調(diào)公司DRAM Exchange的調(diào)查,2009年,傳統(tǒng)筆記本市場(chǎng)上的SSD硬盤(pán)使用率僅僅只有1-1.5%,而 在低端市場(chǎng)SSD硬盤(pán)的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價(jià)格的上漲。今年上半年,這種規(guī)格閃存的價(jià)格不斷上揚(yáng),而由此產(chǎn)生的利潤(rùn)空間自然就減小了。 DRAM Exchange聲稱(chēng)上網(wǎng)本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤(pán)的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢(shì),結(jié)果導(dǎo)致“SSD銷(xiāo)量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán),SSD硬盤(pán)的每GB價(jià)格依
- 關(guān)鍵字: SSD NAND 上網(wǎng)本
nand 介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 的理解,并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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