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恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

  • 　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡化設(shè)計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 　　相較于
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NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競賽起跑

  • 　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
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三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

  • 　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非?？?，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。   　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計明年將推出兼容設(shè)備。
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09年SSD硬盤市占率不升反降

  • 　　據(jù)市調(diào)公司DRAM Exchange的調(diào)查，2009年，傳統(tǒng)筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而 在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年，這種規(guī)格閃存的價格不斷上揚(yáng)，而由此產(chǎn)生的利潤空間自然就減小了。 　　DRAM Exchange聲稱上網(wǎng)本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢，結(jié)果導(dǎo)致“SSD銷量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，SSD硬盤的每GB價格依
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三星電子與東芝就芯片業(yè)務(wù)達(dá)成交叉授權(quán)交易

  • 　　6月22日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周一表示，已與日本東芝就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)簽署交叉授權(quán)交易。 　　東芝是繼三星電子之后，全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
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閃存價格上漲　SSD技術(shù)普及受威脅

  • 　　今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈，令供應(yīng)商非常高興，使其在2008年經(jīng)受慘重?fù)p失之后又獲得了希望。 　　為了盡快恢復(fù)盈利，這些供應(yīng)商在2008年紛紛削減產(chǎn)能以應(yīng)對市場需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司，此后，NAND閃存價格在第一季度上漲了11%，在第二季度估計上漲了28%。 　　雖然這對于閃存供應(yīng)商來說是好事，但卻可能對固態(tài)硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負(fù)面影響。SSD的90%由閃存部件構(gòu)成。 　　SSD上網(wǎng)本失色 　　在全球電子市場面臨不確定性之際，PC制造
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內(nèi)容與模式體現(xiàn)消費(fèi)電子差異性

  • 　　SD(安全數(shù)碼卡)目前是我們的主要應(yīng)用產(chǎn)品市場之一。由于有新的標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品出現(xiàn)，MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應(yīng)用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的，約在30%左右，其實這部分業(yè)務(wù)在2008年是下滑的，而新業(yè)務(wù)帶來的收入在增長，2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重，但由于價格的下降，我們的銷售額與2007年持平。 　　總的來說，慧榮擁有3大產(chǎn)品線：移動存儲、多媒體單芯片及移動通信。移動存儲產(chǎn)品提供管理閃存的控制芯片，應(yīng)用范圍包括閃存卡、U盤、
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東芝整頓虧損的芯片業(yè)務(wù) 將關(guān)閉部分生產(chǎn)線

  • 　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報道，東芝表示將關(guān)閉部份芯片生產(chǎn)部門，取消近期宣布的分拆決定，以整頓虧損累累的芯片業(yè)務(wù)。 　　報導(dǎo)指出，東芝計劃關(guān)掉Kitakyushu廠兩條生產(chǎn)線，而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產(chǎn)能則將腰斬。 　　據(jù)報載，公司將裁減生產(chǎn)線的臨時雇員，部份全職員工將改派至芯片部門以外的業(yè)務(wù)單位。 　　東芝預(yù)估，廢棄生產(chǎn)設(shè)備及采取相關(guān)措施所耗費(fèi)的重整費(fèi)用將達(dá)300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產(chǎn)量。 　　公司意圖透過整頓虧損連連的芯片
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龔翊出任恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁

  • 　　全球非易失性存儲領(lǐng)先廠商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導(dǎo)體(Spansion)嵌入式事業(yè)部亞洲區(qū)副總裁，龔翊的加入將為恒憶帶來更多針對亞洲嵌入式市場的經(jīng)驗。作為副總裁，她將負(fù)責(zé)恒憶亞洲區(qū)嵌入式產(chǎn)品的銷售與業(yè)務(wù)管理，帶領(lǐng)團(tuán)隊為亞洲客戶和合作伙伴提供更完善的服務(wù)與支持。 　　“亞洲在全球嵌入式產(chǎn)品市場具有重要的戰(zhàn)略地位，恒憶致力于提供相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)支持，以滿足嵌入式市場的需求”，恒憶全球嵌入式業(yè)務(wù)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。 　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。 　　新協(xié)
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Unity可能與IM Flash合作制造RRAM

  • 　　近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計劃找一家IDM合作建廠來制造該產(chǎn)品。 　　Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因為該存儲產(chǎn)品需用到鈣鈦礦。 　　據(jù)悉，建該工廠和一座先進(jìn)邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
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NAND Flash買氣急凍　通路庫存塞車

  • 　　NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔(dān)心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費(fèi)者需求不振，導(dǎo)致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。 　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

  • 　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。 　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。 　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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三星預(yù)計今年全球芯片商仍將艱難度日

  • 　　全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預(yù)計，由于全球經(jīng)濟(jì)形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。 　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉當(dāng)天對投資者說，很難預(yù)測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開支以及消費(fèi)者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機(jī)市場需求正在持續(xù)萎縮。 　　不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預(yù)計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

  • 　　恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預(yù)計此項合作將加快當(dāng)前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的eMMC標(biāo)準(zhǔn)的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的整個系統(tǒng)級性能。 　　根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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