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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

  • UFS普及并不缺乏機會,F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解,成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
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被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染 武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)

  •   如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德,為博眼球胡謅瞎報,誤導(dǎo)群眾,損人又害己,更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。   歪曲報道如下:   武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件,雖然沒有造成人員傷亡,但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染,影響產(chǎn)能在9000片左右,市場預(yù)料,將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。   由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場,使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口,現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染,有望再度推升NOR Flash報價,市場最
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基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

  • 介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設(shè)計。
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基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

  • 以AT45DB041B為例,將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結(jié)合起來,實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作,完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換,并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應(yīng)用。
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基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
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FPGA最小系統(tǒng)之:最小系統(tǒng)電路分析

  • FPGA的管腳主要包括:用戶I/O(User I/O)、配置管腳、電源、時鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途,所以在設(shè)計FPGA電路之前,需要認真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊。
  • 關(guān)鍵字: Cyclone  Altera  Flash  FPGA  CPLD  SDRAM  FPGA最小系統(tǒng)  

FPGA最小系統(tǒng)之:最小系統(tǒng)的概念

  • FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少,只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括:FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括:SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
  • 關(guān)鍵字: FPGA最小系統(tǒng)  Altera  NiosII  Flash  SDRAM  

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

  • TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作;翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系,同時支持TFFS的各種功能,如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等;MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等);socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡,主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
  • 關(guān)鍵字: 文件系統(tǒng)  Flash  SOCKET  

Flash硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

  • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法,并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設(shè)計中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字: 編程  接口  Flash  擦除  

大容量NOR Flash與8位單片機的接口設(shè)計

  • Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點,既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種,與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢:可靠性高、隨機讀取速度快,可以單字節(jié)或單字編程,允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
  • 關(guān)鍵字: NOR  Flash  接口  單片機  

F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應(yīng)用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特 性,結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導(dǎo)的方法。
  • 關(guān)鍵字: DSP  Flash  TI  

Flash數(shù)據(jù)丟失,說好的數(shù)據(jù)去哪了?

  • 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
  • 關(guān)鍵字: 電源電壓  Flash  MCU  

美系兩大廠商淡出NOR Flash市場 NOR芯片缺貨無解

  •   繼美光后,全球第二大編碼型快閃存儲器(NOR Flash)制造廠賽普拉斯(Cypress)也在法說會上,將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息,加上蘋果明年新手機全數(shù)導(dǎo)入有機發(fā)光二極管(OLED)面板,同步得搭載NOR芯片維持手機色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴大。   存儲器業(yè)者透露,美系兩大廠商淡出NOR Flash,讓今年NOR芯片缺貨無解,更因硅晶圓廠優(yōu)先供貨給邏輯芯片廠和DRAM和3D NAND Flash廠,增產(chǎn)數(shù)量受阻,明年更將陷入史上最大缺貨潮,臺灣地區(qū)廠
  • 關(guān)鍵字: 美光  NOR  

麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  •   據(jù)外媒報道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導(dǎo),Daniel Kim發(fā)布報告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  

蘋果入局加劇NOR芯片缺貨 預(yù)估今年漲幅60%

  •   蘋果新手機iPhone 8將導(dǎo)入采用編碼型快閃存儲(NOR Flash),已讓NOR芯片缺貨更為嚴重。存儲業(yè)者透露,今年NOR芯片供給缺口將擴大至20%,主要供應(yīng)大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發(fā)出漲價通知,業(yè)者估計今年漲幅可能擴大至逾60%。     業(yè)者預(yù)期,會有更多廠商來臺搶貨,臺廠相關(guān)供應(yīng)商包括旺宏、華邦電及晶豪科等,也樂見睽違4年多難得一見的榮景,將同步調(diào)漲售價,且估計第2季漲幅將逾20%之高。   存儲通路商透露,去年下半年以來,市場焦點一直以DRAM和儲存型快閃存
  • 關(guān)鍵字: 蘋果  NOR  
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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