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2019年全球Flash支出達260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?！?/li>
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美光行使認(rèn)購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

　　美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向?！　　笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?！蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊伍，以推動 3D Xpo
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

對于可擦除的、非易失性的存儲，業(yè)界已經(jīng)在兩項技術(shù)上進行了標(biāo)準(zhǔn)化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢，例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領(lǐng)域。
關(guān)鍵字： EEPROM Flash 汽車 1級 201812

美光推出品類齊全的高密度 45 nm 汽車級 NOR 閃存產(chǎn)品組合

　　在 Electronica 2018 展會上，創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布推出品類齊全的高密度汽車級 AEC-Q100 一級(+125°C)NOR 閃存產(chǎn)品組合，該下一代超高溫汽車解決方案可實現(xiàn)快速啟動和即時啟動，并可直接在芯片內(nèi)執(zhí)行運算 (XiP)。該產(chǎn)品組合涵蓋了美光領(lǐng)先的 45nm NOR 閃存解決方案，采用quad- SPI 和 Xccela? 總線接口，密度范圍從 128 兆位(Mb)到 2 千兆位(Gb)不等?！　榱藵M足自動
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賽普拉斯推出智能無故障存儲平臺，搭載Arm處理器以提升安全性和可靠性

　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)日前宣布推出擁有嵌入式計算能力的新一代存儲平臺，以滿足高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和智能工廠等應(yīng)用對高可靠智能技術(shù)和無故障存儲產(chǎn)品的日益增長的需求。該平臺擁有標(biāo)準(zhǔn)化的IP設(shè)計，可針對新的應(yīng)用需求實現(xiàn)快速的重新配置。賽普拉斯的Semper? NOR閃存產(chǎn)品系列即基于該平臺打造，它搭載了Arm? Cortex?-M0處理器，可用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的無故障嵌入式汽車系統(tǒng)，并可在汽車和工業(yè)應(yīng)用的極端工作溫度中
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H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
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DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項知多少？

數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了D
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫
關(guān)鍵字：源代碼 RAM FlaSh

詳解嵌入式中參數(shù)存儲的一種方式

如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫
關(guān)鍵字：工控 FlaSh 嵌入式

對STM32的flash進行操作的一些要點

說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLAS
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賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案，助力汽車及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應(yīng)用

全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：CY）日前宣布，正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領(lǐng)域，為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設(shè)計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng)，是首款符合ISO 26262 功能性安全標(biāo)準(zhǔn)的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標(biāo)準(zhǔn)，在汽車和工業(yè)的極端溫度應(yīng)用環(huán)境中，仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
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旺宏2017NOR市占達30%，稱霸全球

　　旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。　　旺宏電子總經(jīng)理盧志遠表示，預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營運看法樂觀。　　就短期來看，盧志遠表示，本季整體需求預(yù)估會比去年第四季緩和;雖
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。　　　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC

STM32的flash知識詳解

　　說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)?！　LASH分類　　根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當(dāng)使用ISP方
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]