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兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash全系列產(chǎn)品通過AEC-Q100車規(guī)認證

　　中國北京(2019年3月26日) — 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布，其GD25全系列SPI NOR Flash產(chǎn)品已完成AEC-Q100認證，是目前唯一的全國產(chǎn)化車規(guī)閃存產(chǎn)品，為汽車前裝市場以及需要車規(guī)級產(chǎn)品的特定應用提供高性能和高可靠性的閃存解決方案。　　隨著自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的發(fā)展，汽車產(chǎn)業(yè)對存儲器的需求與日俱增，成為存儲芯片中重要的新興增長點和決定市場格局的重要力量。實現(xiàn)汽車的智能化需要更多的環(huán)境感知，隨著傳感器和更多MC
關鍵字：兆易創(chuàng)新 NOR

使用高速NOR閃存配置FPGA

　　NOR閃存已作為FPGA(現(xiàn)場可編程門列陣)的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))等應用中得到廣泛采用。汽車場景中攝像頭系統(tǒng)的快速啟動時間要求就是很好的一個例子——車輛啟動后后視圖像在儀表板顯示屏上的顯示速度是最為突出的設計挑戰(zhàn)?！　∩想姾螅現(xiàn)PGA立即加載存儲于NOR器件中的配置比特流。傳輸完成后，F(xiàn)PGA轉(zhuǎn)換為活動(已配置)狀態(tài)。FPGA包括許多配置接口選項，通常包括并行NOR總線和串行外設接口(SPI)總線。支持
關鍵字： FPGA NOR

2019年全球Flash支出達260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務資本支出金額的219億美元?！?/li>
關鍵字： DRAM 晶圓 Flash

美光行使認購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

　　美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向?！　　笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?！蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術型人才隊伍，以推動 3D Xpo
關鍵字：美光，F(xiàn)lash

中天弘宇：攻克核心設計缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
關鍵字： NOR NAND 存儲器

真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

對于可擦除的、非易失性的存儲，業(yè)界已經(jīng)在兩項技術上進行了標準化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時的方案，但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著的優(yōu)勢，例如當數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領域。
關鍵字： EEPROM Flash 汽車 1級 201812

美光推出品類齊全的高密度 45 nm 汽車級 NOR 閃存產(chǎn)品組合

　　在 Electronica 2018 展會上，創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的行業(yè)領導者——美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布推出品類齊全的高密度汽車級 AEC-Q100 一級(+125°C)NOR 閃存產(chǎn)品組合，該下一代超高溫汽車解決方案可實現(xiàn)快速啟動和即時啟動，并可直接在芯片內(nèi)執(zhí)行運算 (XiP)。該產(chǎn)品組合涵蓋了美光領先的 45nm NOR 閃存解決方案，采用quad- SPI 和 Xccela? 總線接口，密度范圍從 128 兆位(Mb)到 2 千兆位(Gb)不等?！　榱藵M足自動
關鍵字：美光 NOR

賽普拉斯推出智能無故障存儲平臺，搭載Arm處理器以提升安全性和可靠性

　　全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)日前宣布推出擁有嵌入式計算能力的新一代存儲平臺，以滿足高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和智能工廠等應用對高可靠智能技術和無故障存儲產(chǎn)品的日益增長的需求。該平臺擁有標準化的IP設計，可針對新的應用需求實現(xiàn)快速的重新配置。賽普拉斯的Semper? NOR閃存產(chǎn)品系列即基于該平臺打造，它搭載了Arm? Cortex?-M0處理器，可用于符合行業(yè)標準的無故障嵌入式汽車系統(tǒng)，并可在汽車和工業(yè)應用的極端工作溫度中
關鍵字：賽普拉斯 Arm NOR

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
關鍵字： H-Jtag V1. 燒寫NOR Flash

DSP硬件設計需要知道的注意事項知多少？

數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備，通過CMOS處理技術，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了D
關鍵字：硬件設計 FlaSh DSP

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫
關鍵字：源代碼 RAM FlaSh

詳解嵌入式中參數(shù)存儲的一種方式

如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫
關鍵字：工控 FlaSh 嵌入式

對STM32的flash進行操作的一些要點

說到STM32的flash，我們的第一反應是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLAS
關鍵字： STM32 flash

賽普拉斯推出全球領先的閃存解決方案，助力汽車及工業(yè)領域的關鍵安全應用

全球領先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導體公司（納斯達克代碼：CY）日前宣布，正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領域，為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng)，是首款符合ISO 26262 功能性安全標準的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標準，在汽車和工業(yè)的極端溫度應用環(huán)境中，仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
關鍵字：賽普拉斯閃存 nor

旺宏2017NOR市占達30%，稱霸全球

　　旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。　　旺宏電子總經(jīng)理盧志遠表示，預期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營運看法樂觀。　　就短期來看，盧志遠表示，本季整體需求預估會比去年第四季緩和;雖
關鍵字： NOR NAND

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]