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爾必達釋配貨權力晶獲瑞晶產(chǎn)能　然DRAM現(xiàn)貨供應恐減少

  • 　　盡管爾必達(Elpida)與力晶之間買回瑞晶股權爭議還未達成協(xié)議，但在DRAM產(chǎn)能分配上已先獲得共識，力晶已超過1年未向瑞晶拿貨，近期與爾必達協(xié)商成功，4月起重獲瑞晶產(chǎn)能分配權，未來每月將多出2.4萬片產(chǎn)能挹注，爾必達則要求力晶12寸廠代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配貨權，多數(shù)要再回銷給爾必達來供應PC客戶，未來該陣營釋放至現(xiàn)貨市場DRAM貨源，恐將進一步短缺。 　　爾必達與力晶分別對瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圓廠產(chǎn)能8萬片，2大股東可按照持股比例，獲得同等的瑞晶產(chǎn)能分配，
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  

由C8051F310和CS8900A構件的PC網(wǎng)絡實驗平臺的設計

  • 本文給出了基于C8051F310單片機和CS8900A以太網(wǎng)控制器的計算機網(wǎng)絡實驗平臺的設計方法。通過本實驗平臺，學生可以完成協(xié)議分析的相關實驗內(nèi)容，從而加強學生對TCP／IP協(xié)議族的理解。
  • 關鍵字： 實驗  平臺  設計  網(wǎng)絡  PC  CS8900A  構件  C8051F310  

力晶半導體董事長預計2010年DRAM芯片價格持穩(wěn)

  • 　　據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》周四援引力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., )董事長黃崇仁(Frank Huang)的話稱，由于供應吃緊，DRAM芯片價格將繼續(xù)持穩(wěn)，至少在2010年年內(nèi)是如此。 　　報導援引黃崇仁的話稱，力晶半導體第一季度凈利潤將較前一季度有所增長，2009年第四季度公司實現(xiàn)凈利潤新臺幣16億元左右。 　　以收入計，力晶半導體是臺灣最大的DRAM芯片生產(chǎn)商。
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  

爾必達擬增資187億日圓　金士頓成為金主

  • 　　日本存儲器大廠爾必達(Elpida)將向存儲器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉換公司債，籌資187億日圓(約1.98億美元)，以作為2010年度中擴充廣島廠半導體尖端設備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達4.79%的持股，成為爾必達的第6大股東。 　　此次，爾必達向金士頓發(fā)行的新股為647萬股，每股發(fā)行價格為1,805日圓，總額約117億日圓;另發(fā)行可轉換公司債約70億日圓。 　　金士頓為爾必達的主要客戶之1，金士頓希望透過注資爾必達，穩(wěn)定DRAM模塊貨源。而爾必達則為將廣島廠產(chǎn)線由
  • 關鍵字： Elpida  存儲器  DRAM  

日立東芝三菱和解芯片價格訴訟

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價格操縱指控。 　　該案原告為DRAM芯片的直接采購方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬美元，東芝將支付920萬美元，三菱則支付710萬美元。 　　但根據(jù)和解協(xié)議，上述三家公司均未承認不當行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。 　　DRAM是一種被用于電腦、手機和其他電子設備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
  • 關鍵字： 東芝  DRAM  

日立東芝三菱和解芯片價格訴訟

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價格操縱指控。 　　該案原告為DRAM芯片的直接采購方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬美元，東芝將支付920萬美元，三菱則支付710萬美元。 　　但根據(jù)和解協(xié)議，上述三家公司均未承認不當行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。 　　DRAM是一種被用于電腦、手機和其他電子設備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
  • 關鍵字： 東芝  DRAM  

三星電子芯片業(yè)務上半年利潤或超35億美元

  • 　　受全球存儲芯片供應短缺利好影響，三星電子存儲芯片業(yè)務增長明顯，預計其2010年上半年營業(yè)利潤有望超過4萬億韓元，約合35億美元。 　　三星公司消息人士稱，三星電子自身預估2010年全年的芯片業(yè)務營業(yè)利潤將最多可增至4.4萬億韓元，但韓國媒體報道稱，三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。 　　據(jù)悉，三星電子是目前全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商，其09年在全球DRAM市場的份額從08年的29%增加至36%，而NAND閃存芯片市場份額則一直保持在40%左右。
  • 關鍵字： 三星電子  存儲芯片  DRAM  

三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓元

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  NAND  

三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓圜

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  NAND  

基于PC104總線和CPLD的測頻模件設計

  • 摘要：根據(jù)某測試系統(tǒng)的需要，設計基于PCl04總線和CPLD的高精度測頻模件，采用多周期同步測頻法實現(xiàn)對所測頻段的等精度測量。設計了該測頻模件的硬件電路，并給出用CPLD實現(xiàn)數(shù)字頻率計的詳細VHDL源代碼。采用原理圖的
  • 關鍵字： CPLD  104  PC  總線    

LED市場持續(xù)火熱 臺資加速布局大陸設廠

  • 　　隨著中國大陸LED市場迅速增長，臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設廠，而近來臺企投資腳步則更加頻繁。 　　如果細分近期有意向至大陸設廠的臺企，大體可分成三類：一是臺灣大型LED企業(yè)，為擴大產(chǎn)能需要，在大陸投資設廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
  • 關鍵字： LED  DRAM  

三星跳電　存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現(xiàn)供貨排擠效應。 　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內(nèi)便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。 　　存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  SDRAM  存儲器  

供給有限、需求強勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

  • 　　根據(jù)DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內(nèi)存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機會連續(xù)獲利。 　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉
  • 關鍵字： 智能手機  DRAM  40nm  

三星美光反對擴大DRAM產(chǎn)能

  • 　　近期內(nèi)存價格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應該一味擴大產(chǎn)能惡性競爭而重新導致DRAM內(nèi)存暴跌。 　　韓國三星半導體業(yè)務總裁權五鉉日前表示，DRAM制造商不應該盲目擴大產(chǎn)能，而應當把大規(guī)模投資放在提升技術水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級，進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導體董事長黃崇仁同樣認為，廠商們在對待產(chǎn)能的問題上應當更加謹慎，避免重蹈當年的覆轍。 　
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

英飛凌對爾必達提專利侵權訴訟 美ITC展開調查

  • 　　據(jù)外電報道，美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權指控。 　　英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產(chǎn)品。 　　被調查的企業(yè)名單 　　USITC表示，將依據(jù)1930年美國關稅法第337條，對下列廠商展開調查，包括日商爾必
  • 關鍵字： 英飛凌  DRAM  
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