pc-dram 文章進(jìn)入pc-dram技術(shù)社區(qū)

美國(guó)09年專利前25名出爐三星電子緊隨IBM

　　湯森路透知識(shí)產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級(jí)專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對(duì)過(guò)去一年在美國(guó)獲得專利最多的前25家公司進(jìn)行排名。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級(jí)公司中，無(wú)一家中國(guó)大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國(guó)IBM公司以4843項(xiàng)專利位列第一，韓國(guó)三星電子和美國(guó)微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國(guó)臺(tái)灣、芬蘭和德國(guó)各一家公司。　　2009年美國(guó)專利權(quán)人 TOP25 　　亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%，而日
關(guān)鍵字：三星電子芯片 LCD DRAM

三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片

　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過(guò)客戶認(rèn)證。注意這里說(shuō)的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說(shuō)有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。　　三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM 30nm DDR3

三星的“致命傷”——過(guò)渡依賴芯片產(chǎn)品

　　導(dǎo)讀：《朝鮮日?qǐng)?bào)》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績(jī)?cè)诤艽蟪潭壬弦蕾囉谛酒a(chǎn)品，而芯片的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)容易根據(jù)市場(chǎng)環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點(diǎn)”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會(huì)面臨更大的危機(jī)。　　以下為全文：　　三星電子在韓國(guó)企業(yè)史上第一個(gè)實(shí)現(xiàn)“銷售額100萬(wàn)億韓元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)10萬(wàn)億韓元”的業(yè)績(jī)，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》29日?qǐng)?bào)道稱：“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
關(guān)鍵字：三星電子芯片 LCD DRAM

40納米成DRAM廠流行口號(hào)

　　近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說(shuō)起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒(méi)錢轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒(méi)看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機(jī)會(huì)大量生產(chǎn)，其它陣營(yíng)的40納米技術(shù)，都是口頭說(shuō)說(shuō)成分居多。
關(guān)鍵字： DRAM 40納米

SIA：09年12月全球半導(dǎo)體銷售額

　　美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Industry Association，以下簡(jiǎn)稱“SIA”)周一公布報(bào)告稱，去年12月全球半導(dǎo)體銷售較11月下滑1.2%，但比2008年同期增長(zhǎng)29%，主要由于PC、手機(jī)及其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的銷售健康增長(zhǎng)。　　報(bào)告顯示，去年12月全球半導(dǎo)體銷售額為224億美元，比11月的227億美元下滑1.2%，比2008年同期的174億美元增長(zhǎng)29%;在整個(gè)2009年，全球半導(dǎo)體銷售額為2263億美元，比2008年下滑9%，但高于SIA此前
關(guān)鍵字： AMD 半導(dǎo)體 PC 手機(jī)

LSI 針對(duì)企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列

　　LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級(jí)交換機(jī)、路由器、RAID 存儲(chǔ)器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級(jí)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)SoC 的開(kāi)發(fā)。　　定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對(duì)計(jì)算密集型應(yīng)用開(kāi)發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
關(guān)鍵字： LSI DRAM 內(nèi)存模塊 PowerPC476

DRAM迎來(lái)希望之光年底將“春光燦爛”

　　在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。　　DDR3來(lái)臨　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2

爾必達(dá)預(yù)計(jì)2010年DRAM將出現(xiàn)供應(yīng)短缺

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本芯片生產(chǎn)商爾必達(dá)記憶體(Elpida)公司今日表示，預(yù)計(jì)2010年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)將出現(xiàn)供應(yīng)短缺。　　爾必達(dá)社長(zhǎng)本幸雄在新聞發(fā)布會(huì)上接受采訪時(shí)表示，DRAM的價(jià)格可能將在截至2011年3月的會(huì)計(jì)年度企穩(wěn)。
關(guān)鍵字： Elpida DRAM

DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。　　存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3

設(shè)備交期拉長(zhǎng) 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長(zhǎng)力道

　　近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不斷，不少業(yè)者的機(jī)臺(tái)進(jìn)廠時(shí)間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個(gè)月來(lái)推算，部分機(jī)臺(tái)交貨時(shí)間恐怕落到2011年。　　在2010年科技業(yè)大擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)潮下，市場(chǎng)紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績(jī)可望較2009年成長(zhǎng)4~5成，不過(guò)近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長(zhǎng)到6~9個(gè)月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開(kāi)始擔(dān)憂，交期拉長(zhǎng)恐怕使部分原本可在2010年交貨的機(jī)臺(tái)，延后到2011年，使全年業(yè)績(jī)成長(zhǎng)幅度受到壓抑。　　設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機(jī)臺(tái)包括LED的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MO
關(guān)鍵字： MOCVD，晶圓代工 DRAM

DDR3來(lái)臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開(kāi)月明

　　2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過(guò)黑暗時(shí)期，終于守得云開(kāi)見(jiàn)月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。　　三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。　　DDR3 來(lái)臨　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測(cè)，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過(guò)DDR2。　　三星在 DDR3
關(guān)鍵字： DRAM DDR3

機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

　　2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機(jī)臺(tái)交貨不及，公司則澄清前期機(jī)臺(tái)已順利拉進(jìn)來(lái)，轉(zhuǎn)換制程進(jìn)度一切正常。　　DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問(wèn)題，其中，機(jī)臺(tái)購(gòu)置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺(tái)機(jī)臺(tái)設(shè)備動(dòng)輒要價(jià)新臺(tái)幣10億元，且每臺(tái)機(jī)器產(chǎn)能約僅1萬(wàn)片，若1座產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片的12寸
關(guān)鍵字： Samsung DRAM

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時(shí)序特征設(shè)計(jì)一個(gè)低價(jià)格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語(yǔ)言編程實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字： CPLD 解決方案控制器 DRAM 系統(tǒng) 嵌入式

南亞科擴(kuò)建12寸廠　全球市占挑戰(zhàn)10%

　　南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9.5萬(wàn)片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬(wàn)片計(jì)算，南亞科擴(kuò)產(chǎn)后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺(tái)塑集團(tuán)在 DRAM產(chǎn)業(yè)重要里程碑。　　DRAM廠喜迎產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，但苦于無(wú)錢擴(kuò)增產(chǎn)能，2009年下半除趕緊將減產(chǎn)的產(chǎn)能回復(fù)，對(duì)于制程演進(jìn)亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)2010年紛宣布要轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米制程世代
關(guān)鍵字：南亞科 DRAM

4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

　　2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競(jìng)爭(zhēng)力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競(jìng)爭(zhēng)更激烈。　　雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
關(guān)鍵字： Hynix DRAM 40納米