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高速數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計:對于差分對的要求

  •   差分對:你真正需要了解的內(nèi)容   對于速度的渴求始終在增長,傳輸速率每隔幾年就會加倍。這一趨勢在諸如計算、SAS和SATA存儲方面的PCIe以及云計算中的千兆以太網(wǎng)等很多現(xiàn)代通信系統(tǒng)中很普遍。信息革命對通過傳輸介質(zhì)傳送數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。目前的傳輸介質(zhì)仍然依賴于銅線,數(shù)據(jù)鏈路中的信號速率可以達(dá)到大于25Gbps,并且端口吞吐量可以大于100Gbps.   這些串行數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計使用差分信號的方式,通過被稱為差分對的一對銅線來傳送數(shù)據(jù)。A線路和B線路內(nèi)的信號是等振幅、反相位高速脈沖。差分信號在很多電路
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SSD巨頭欲取締HDD 價格戰(zhàn)能否奏效

  •   據(jù)IHS調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,全球SSD市場規(guī)模增長快速,2014年是115億美元,2015年將達(dá)到130億美元,2016年進(jìn)一步增長到140億美元。目前,筆記本電腦已經(jīng)有20%左右采用SSD。因此,就目前SSD和HDD激烈的市場競爭格局情況,《智慧產(chǎn)品圈》有幸拜訪了深圳市江波龍電子有限公司SSD產(chǎn)品線產(chǎn)品經(jīng)理鐘孟辰,深入了解SSD和HDD的“恩怨情仇”。   SSD與HDD應(yīng)用對比,SSD真的能完全取代HDD嗎?   眾所周知,SSD在性能、功耗、體積等方面都比HDD更具優(yōu)勢。因
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NRAM技術(shù)可讓SSD固態(tài)硬盤的壽命無限延長

  •   固態(tài)硬盤(Solid State Drives)是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲單元組成。雖然成本較高,但也正在逐漸普及到 DIY 市場。存儲器廠商只需購買 NAND 存儲器,再配合適當(dāng)?shù)目刂菩酒?,就可以制造固態(tài)硬盤。SSD 固態(tài)硬盤具有傳統(tǒng)機(jī)械硬盤不具備的快速讀寫、質(zhì)量輕、能耗低以及體積小等特點,因此被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。        正如前文提到的,廠商只需要 NAND 存儲器加上控
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三星SSD搶全球市占35%,英特爾、SanDisk垂淚

  •   三星固態(tài)硬碟(SSD)龍頭位置越坐越穩(wěn),將英特爾、SanDisk等競爭對手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在后面。 南韓聯(lián)合通訊社(Yonhap)報導(dǎo),據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)估,三星SSD產(chǎn)品今年營收將來到45.7億美元,遙遙領(lǐng)先英特爾的22.5億美元與SanDisk的22億美元。   按營收計算,三星全球市占率達(dá)35%,英特爾與SanDisk均是17%。IHS看好三星明年市占率將維持在35%左右,而英特爾與Sandisk則可能掉到16%。 日前消息傳出,SanDisk已痛失蘋果的SSD訂單,而搶單的正是三星。除此之外,SanD
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高容量SSD揭幕 美光、東芝、新帝搶進(jìn)128Gb TLC芯片

  •   美光(Micron)、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)旗下16納米和15納米制程不但放量,生產(chǎn)藍(lán)圖也朝128Gb容量TLC型NAND Flash芯片規(guī)劃,帶動整個大容量固態(tài)硬碟(SSD)商機(jī)大爆發(fā)。   美光宣示,16納米制程的TLC型NAND Flash芯片正式進(jìn)入量產(chǎn),將是2015年消費性產(chǎn)品的主力零組件;再者,東芝和新帝的15納米制程在生產(chǎn)初期頻傳出良率不佳,也傳出新帝因此遭到蘋果(Apple)從供應(yīng)商中剔除,但經(jīng)過1~2季努力,15納米制程已上軌道,目前已先在自家產(chǎn)品中采用,預(yù)
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Flash廠力推 3D NAND明年全面滲透消費性SSD

  •   在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下,消費性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計將自今年下半年開始加速采用更高性價比的3D NAND方案,并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對SSD可靠度要求等級較高,預(yù)估將自2016下半年后才會轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。   
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研調(diào):價格降至甜蜜點,今年筆電SSD滲透率逾30%

  •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究報告顯示,隨著NAND Flash制程往下演進(jìn)至15/16 奈米及3D -NAND Flash,固態(tài)硬碟(SSD)價格滑落的速度也逐步加快,第二季度128GB Client-SSD OEM合約均價已下探至US$50,256GB也接近US$90的水準(zhǔn),預(yù)期第三季隨著3D-NAND Flash出貨比重開始攀升,筆記型電腦 SSD滲透率攀升速度將加快。DRAMeXchange預(yù)估今(2015)年筆記型電腦SSD滲透率將突破30%大關(guān),更
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SanDisk:SSD全面進(jìn)占數(shù)據(jù)中心

  • SSD這么好的東西,都是因為成本問題未能普及。
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Marvell投資效益爆發(fā) 憶正SSD和eMCP突圍

  •   NAND Flash解決方案供應(yīng)商憶正科技,從軍工規(guī)存儲器模組轉(zhuǎn)進(jìn)消費性市場,獲得Marvell投資后專注研發(fā)2年,終于在2015年開始進(jìn)入收割期,新產(chǎn)品智能型手機(jī)以及平板電腦專用的eMCP產(chǎn)品M1880L/M1870L即將問世。同時,支援東芝(Toshiba)的15納米制程的PCIE Gen3 x2介面M.2 SSD產(chǎn)品NF8-920也即將推出。   憶正一直是eMMC控制芯片供應(yīng)商,看好未來智能型手機(jī)以及平板電腦內(nèi)建的儲存規(guī)格將從eMMC轉(zhuǎn)到eMCP上,因此2015年將eMCP模組視為重點產(chǎn)品,
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NAND Flash兩大戰(zhàn)場點火 群雄各組虛擬聯(lián)盟對決

  •   固態(tài)硬碟和eMCP兩大領(lǐng)域,已成為存儲器相關(guān)業(yè)者兵家必爭之地。符世旻攝近期全球NAND Flash供應(yīng)鏈紛聚焦固態(tài)硬碟(SSD)和eMCP(結(jié)合eMMC及MCP封裝)兩大市場商機(jī),由于全球SSD年產(chǎn)值上看新臺幣4,500億 元,eMMC及eMCP芯片年需求高達(dá)10億顆,成為存儲器相關(guān)業(yè)者兵家必爭之地,包括美光(Micron)、Marvell、憶正和泰金寶合組虛擬聯(lián)盟 搶進(jìn),群聯(lián)則有東芝(Toshiba)、金士頓(Kingston)助攻,慧榮與英特爾(Intel)、SK海力士等站在同一陣線,面對SSD和
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Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世

  •   固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu),讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世

  •   固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu),讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

  •   現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日,Intel & Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop,Intel的技術(shù)人員在會議上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術(shù)上的細(xì)節(jié)。        這場會議在深圳JW萬豪酒店舉行,參與會議的有相當(dāng)多的業(yè)內(nèi)朋友。來自Intel美國的產(chǎn)品工程經(jīng)理Todd Myers,NAND產(chǎn)品交易開發(fā)工程師Tod
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降低SSD延遲時間 采用NVMe或成MacBook未來趨勢

  •   蘋果(Apple)最新MacBook筆記型電腦(NB)放棄傳統(tǒng)進(jìn)階主機(jī)控制器介面(Advanced Host Controller Interface;AHCI),改采NVM Express(NVMe)固態(tài)硬碟(SSD)介面,而蘋果近年也持續(xù)改善NB零組件,研發(fā)提升SSD速度與效能、降低延遲時間(latency)的技術(shù)。   根據(jù)科技網(wǎng)站Computerworld報導(dǎo),NVMe倡議團(tuán)體資料指出,NVMe儲存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范(NVMe Standard)比起SATA SSD的4K隨機(jī)與循序讀寫速度快6倍、延遲
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SSD需求起飛 引爆28納米制程第二波攻勢

  • 近期固態(tài)硬盤大降價,刺激了SSD晶元代工市場。
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