qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚(yáng),而近一個月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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中國成為全球新建晶圓廠主要推手
- 全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國。 根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì),全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元,較2015年增加1.5%,2017年則可望再成長13%、達(dá)到407億美元。 包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出,在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期,3D NAND快閃記憶體、10奈
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三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND?外資:三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%
- 據(jù)韓國時報(bào)報(bào)導(dǎo),三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定,但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。 barron`s.com16日報(bào)導(dǎo),JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出,三星應(yīng)該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開,且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。 另外,三星也將善用Line
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中國半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能
- 中國砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人,國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出,今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能,預(yù)估有超過一半都將來自中國。 據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠,當(dāng)中有10座設(shè)在中國,其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動DRAM市場趨于健康
- 蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會比上半年好。 創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形,SSD需求強(qiáng)勁,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長陳立白日
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)
- 為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來?…,等等,問了那么多為什么,那我反問一個問題:你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? ? 一、Nand flash的特性 1、位翻轉(zhuǎn) 在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進(jìn)行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的,存儲單元的閾值電壓就對應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時候,通過將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言,就只有兩種狀態(tài)和一個
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2016年第一季NAND品牌營收排行榜
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下,第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%,已連續(xù)兩個季衰退。 2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響,通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴(kuò)大至13~18%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示
- 關(guān)鍵字: NAND 英特爾
下半年NAND Flash一定缺貨,且會非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價效應(yīng)。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后,針對今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地,不過有分析師預(yù)測,陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報(bào)導(dǎo),美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱,中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份,Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機(jī)增長放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。 高通曾表示,第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績。 將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星,也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會下降,一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單
- 傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā),有意重啟對蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲器,過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。 據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo),日前業(yè)界表示,三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者,共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠積極打進(jìn)蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報(bào)導(dǎo),三星電子計(jì)畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone,這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報(bào)導(dǎo),蘋果從2012年iPhone 5推出開始,就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體,在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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