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美光科技通過 QLC 引領(lǐng)市場從普通硬盤到固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)型

  • 　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)今天宣布旗下 QLC(四級單元)NAND 技術(shù)提升市場領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210 ION 企業(yè)級 SATA 固態(tài)硬盤現(xiàn)已面向市場廣泛供貨。美光 5210 ION 企業(yè)級 SATA 固態(tài)硬盤是世界上首款 QLC 固態(tài)硬盤，自今年 5 月起面向部分客戶和合作伙伴出貨。美光 5210 ION 企業(yè)級 SATA 固態(tài)硬盤通過全球分銷商供貨，進(jìn)一步加快了美光科技引領(lǐng) QLC 市場，推動固態(tài)硬盤取代普通硬盤，在美光科技最近面向消費(fèi)者市場推出的 Cruc
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兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

  • 　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價格上更貼近客戶需求?！　≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達(dá)8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤明年可待

  • 　　NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價后，在2018年價格開始大幅下滑，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價格指數(shù)已累積下滑高達(dá)63%，其中主流SSD價格跌幅也高達(dá)約50%?！　lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價格更加親民，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket最新價格，消費(fèi)類零售品牌SSD 240GB容量價格已下滑至31美金，480GB容量價格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場報(bào)價更是分別低至25美金(24
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賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

  • 　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?！　≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會長期為客戶提
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存儲產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩，價格持續(xù)上漲

  • 存儲芯片市場在經(jīng)過長達(dá)一年半時間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價格突然下跌，加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報(bào)告，導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
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國內(nèi)廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

  • 中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。
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西部數(shù)據(jù)擴(kuò)展視頻存儲和分析產(chǎn)品系列 滿足終端智能視頻的動態(tài)需求

  • 　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個安防監(jiān)控存儲解決方案更新，擴(kuò)展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備系列。這一系列更新包括：業(yè)內(nèi)率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動管理其存儲子系統(tǒng)、維持運(yùn)行優(yōu)化狀態(tài)的新款設(shè)備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！　?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)產(chǎn)品市場總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素

  • 　　前言　　多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦，如今又?jǐn)U展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻?！　∽畛?，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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西部數(shù)據(jù)公司推出支持先進(jìn)汽車系統(tǒng)的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤

  • 　　西部數(shù)據(jù)公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD)，豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，用以滿足對先進(jìn)汽車系統(tǒng)和自動駕駛車輛的需求(如高級駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強(qiáng)的性能，滿足了汽車設(shè)備嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求?！　≤嚶?lián)網(wǎng)需要以越來越高的容量快速可靠地存儲數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂系統(tǒng)、3D地圖導(dǎo)航、遠(yuǎn)程信息處理、高級駕駛輔助系統(tǒng)的
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關(guān)于NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤，定位高端智能手機(jī)

  • ? ? ? ? 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。 <西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤> ? ? ? ?新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存盤  

SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元

  • 　　根據(jù)《韓聯(lián)社》報(bào)導(dǎo)，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動工，并已在今日完工啟用，新廠將加強(qiáng)韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)大這條產(chǎn)線，不過詳細(xì)內(nèi)容將會視市場狀況來決定。該廠將會在2019年第1季開始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會有月產(chǎn)20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線?！　K海力士會長崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會持續(xù)維持在市場的競爭力。韓國大統(tǒng)領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
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3D NAND時代已至！Xtacking技術(shù)點(diǎn)燃存儲國產(chǎn)化希望

  • 隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過渡，技術(shù)和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢下，長江存儲以Xtacking技術(shù)切入3D NAND市場，為國產(chǎn)存儲技術(shù)的發(fā)展點(diǎn)燃了希望。
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不怕虧錢，未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入

  • 　　對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入?！　≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn)　　中國證券報(bào)：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數(shù)量可達(dá)幾百萬個。必須保證做到垂直地
  • 關(guān)鍵字： 長江存儲，NAND  
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