首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> qlc nand

2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

  • 　　在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁。　　隨著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
  • 關(guān)鍵字： 無線通訊  NAND  

紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

  • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

  • 　　為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
  • 關(guān)鍵字： NAND，芯片  

存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場？

  • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構(gòu)調(diào)查，最終結(jié)果究竟如何，人們拭目以待。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  NAND  

DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好

  • 　　隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應(yīng)求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味?！　∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求，對今年整體營運表
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

  • 　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！　‰S著工作負載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND   

韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

  • 　　當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進入市場。 　　對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預(yù)測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 　　根據(jù)韓國媒體《et
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND   

內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來

  • 　　根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強勁。 　　   　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂

  • 　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場營收達到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。 　　在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

  • 　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
  • 關(guān)鍵字： NAND  存儲器  

14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速增長 加快邁向中高端

  • 　　近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。 　　工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元，手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： AMOLED  NAND   

2018年內(nèi)存芯片收入有望實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長

  • 　　全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達到4291億美元。 　　這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出的，HIS認為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機器學(xué)習(xí)。 　　這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。 　　IHS表示，動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  NAND  

中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國半導(dǎo)體最受傷？

  • 中國已經(jīng)提出,提高從美國進口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

三星中國西安NAND Flash工廠二期項目動工

  • 　　在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃，28日正式動工，預(yù)計將在2019年完工啟用。 　　據(jù)了解，該項總金額高達70億美元，工程期間達到3年的擴廠計劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。 　　只是，該新的
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  
共1137條 16/76 |‹ « 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 » ›|

qlc nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473