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智能MOSFET驅動器提升數字控制電源性能的設計方案

  • 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性?! CD
  • 關鍵字: MOSFET  驅動器  數字控制電源  設計方案    

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續(xù)引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件??其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統(tǒng)硅器件相比,可實現更高的能源效率。
  • 關鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

飛兆半導體鋰離子電池組保護設計解決方案

  • 便攜產品的設計人員通常在設計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應用等使用單節(jié)鋰離子電池的產品中,這是一個特別重要的問題。
  • 關鍵字: 飛兆半導體  MOSFET  FDMB2307NZ  

Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產品設計要求,如智能手機及平板計算機等。
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

功率因數校正器(PFC)在電源應用中的重要作用

  • 傳統(tǒng)的離線開關模式功率轉換器會產生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關和電力設施帶來...
  • 關鍵字: PFC  MOSFET  PWM  

為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

  • 中心議題: 同步整流基礎知識 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案: 確定優(yōu)化MOSFET的負載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
    1. 引言

    電源轉換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標準越來越嚴格,
  • 關鍵字: MOSFET  最優(yōu)化  選擇  整流  同步  

集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

  • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
    關鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能 (上接第
  • 關鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅動器  MOSFET  集成  

快速二極管MOSFET在三相逆變器拓撲中的應用

  • 高效率和節(jié)能是家電應用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應用在家電設...
  • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  逆變器  

MOSFET驅動電路設計及應用

  • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路?!≡谑褂肕OS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,
  • 關鍵字: MOSFET  驅動  電路設計    

Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產品的電壓和封裝占位選項,使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產品的獨家供應商。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiZ300DT  SiZ910DT  

AOS推出適用便攜式應用的功率MOSFET

  •   日前,集設計,開發(fā)和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。   新的產品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術。這些技術的好處在于它可以延長電池的使用壽命,還可以使設計變的更簡單緊湊,適用于便攜式產品,例如:平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數碼相機及便攜式音樂播放器。   AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
  • 關鍵字: AOS  MOSFET  

羅姆與APEI聯合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設備的變頻驅動,開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實現了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現在使用Si器件的模塊同樣實現小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關鍵字: 羅姆  SiC  

采用開關器件提高PFC效率

  • 在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術可以減少開關損耗,甚至可通過SiC技術改善升壓二極管來減少MOSFET的開關損...
  • 關鍵字: 開關  PFC  MOSFET  

在SMPS應用中選擇IGBT和MOSFET的比較

  • 開關電源(SwitchModePowerSupply;SMPS)的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇,即開關管和整流...
  • 關鍵字: 開關電源  IGBT  MOSFET  
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