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飛兆半導(dǎo)體在線設(shè)計(jì)和模擬工具

當(dāng)前，設(shè)計(jì)人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)反激電路的挑戰(zhàn)，現(xiàn)在找到能夠簡(jiǎn)化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強(qiáng)大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設(shè)計(jì)人員無(wú)需應(yīng)用指南，也可以像電源專(zhuān)家一樣進(jìn)行“自動(dòng)化設(shè)計(jì)”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計(jì)”。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET PSW

概述　　MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
關(guān)鍵字： MAX5054 MAX5057 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè)，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō)，他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
關(guān)鍵字：電流 MOSFET 功率理解

據(jù)羅姆中國(guó)營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹，面對(duì)未來(lái)的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC LED

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，適用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的車(chē)用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。　　AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器具備三個(gè)獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專(zhuān)有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅(jiān)固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過(guò)外部電流感應(yīng)電阻來(lái)進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運(yùn)算放大器
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器公司 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)IC

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款 ...
關(guān)鍵字：集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片

現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽(yáng)能電池”，這兩個(gè)領(lǐng)域都注重環(huán)保理念，需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 高速開(kāi)關(guān)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si8802DB

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
關(guān)鍵字： Vishay Siliconix MOSFET

近年來(lái)，電源的輸出電壓越來(lái)越低、輸出電流越來(lái)越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計(jì)中采用...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 MOSFET

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET