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Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

  •   Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下,可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET,節(jié)省七成的電路板空間。 
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為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET

  • 高電壓MOSFET技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大變化,給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南,就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開
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IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET 芯片組

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組,適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應(yīng)用。   
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IR推出新系列車用MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列,適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應(yīng)用。   
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中國未來幾年IGBT市場火爆

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長,中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長,2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元,增長一倍以上。   
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IR推出新系列車用MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列,適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應(yīng)用。   
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Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級) 版本

  •   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本,該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動器,在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動器設(shè)計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率,從而使其能夠驅(qū)動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動電壓從5V 至8V 是可調(diào)的,從而允許設(shè)計師選擇標(biāo)準(zhǔn)門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Microchip擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品

  •   Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴(kuò)展了其MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動器上,Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動器。經(jīng)擴(kuò)展后,這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A,工作電壓范圍寬達(dá)4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳,可實現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗,并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

  •   為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝,Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件,可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。   Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著減小從結(jié)點到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時,可將功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。   40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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saber下MOSFET驅(qū)動仿真實例

  • saber下MOSFET驅(qū)動仿真實例,設(shè)計中,根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù),利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteris
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Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄

  •   賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝,具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。
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設(shè)計高效高可靠LED燈具的五個忠告

  •   進(jìn)入2011年,澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈,這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕,另外,隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈,LED燈具的照明普及率會進(jìn)一步提升,這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因為一個巨大的市場就要開啟,而這次唱主角的是中國廠商。不過,應(yīng)當(dāng)看到,LED燈具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解決能效和可靠性的難題,如何解決這些難題,Power Integrations市場營銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

  • 0 引言 眾所周知,今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。近年來,內(nèi)核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番,即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會高達(dá)40A之大,而電壓在0.9V和1.75
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