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英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

  • 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

  • 隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及，辦公自動化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展，越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能，以隨時...
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MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)

  • 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖

  • 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
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安森美半導(dǎo)體推出汽車級非同步升壓控制器

  • 　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。 　　NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門驅(qū)動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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富士電機擬擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

  • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。 　　
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NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計。 　　
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Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
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恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

Vishay將舉辦中國西部電源研討會

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars)，時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術(shù)報告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費參加。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

提供低損耗大功率的MOSFET

  • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當(dāng)?shù)哪芰?，從而造成電源效?..
  • 關(guān)鍵字： 低損耗  大功率  MOSFET  

根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

  • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  導(dǎo)通阻抗  開關(guān)電源  

MOSFET應(yīng)用案例解析

  • 1.開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  應(yīng)用案例  

MOSFET的選型基礎(chǔ)

  • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  選型  應(yīng)用概覽  

求解每個熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，...
  • 關(guān)鍵字： 熱源功率  損耗  MOSFET  
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